[发明专利]Ni‑Ti薄膜及其制作方法、MEMS驱动器在审
| 申请号： | 201710167776.6 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN106929801A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 潘冠军 | 申请（专利权）人： | 海安南京大学高新技术研究院;南京大学;南通南京大学材料工程技术研究院 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/58;C23C14/35;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226600 江苏省南通市海安县镇南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ni ti 薄膜 及其 制作方法 mems 驱动器 | ||
1.一种Ni-Ti薄膜，其特征在于，其中Ni元素原子比为48～49％，该薄膜厚度在60～1000nm之间，具有B2–R单步马氏体相变特征，相变温度滞后为1～4K，马氏体相变温度控制在-123～22℃。
2.一种MEMS驱动器，包括权利要求1所述的Ni-Ti薄膜。
3.权利要求1所述的Ni-Ti薄膜的制作方法，其特征在于，包括：
s1、利用真空直流磁控溅射方法在基体上制备Ni-Ti薄膜；
s2、将得到的Ni-Ti薄膜置于真空退火炉中进行晶化处理，退火温度为550～650℃，保温时间为1～3h。
4.根据权利要求3所述的Ni-Ti薄膜的制作方法，其特征在于：所述基体为Si衬底。
5.根据权利要求4所述的Ni-Ti薄膜的制作方法，其特征在于：所述Si衬底使用前需置于丙酮溶液中超声清洗10～30min。
6.根据权利要求3所述的Ni-Ti薄膜的制作方法，其特征在于：所述真空直流磁控溅射方法满足条件：真空度>5×10-5Pa，保护气体的气压为0.5～5Pa。溅射功率分别为Ni＝10～50W，Ti＝30～80W，溅射时间为19～285min。
7.根据权利要求3所述的Ni-Ti薄膜的制作方法，其特征在于：所述真空直流磁控溅射方法中，靶材采用纯金属Ni、Ti，纯度原子百分比均为99.995％。
8.根据权利要求3所述的Ni-Ti薄膜的制作方法，其特征在于：所述步骤s2中，退火炉的真空度>5×10-5Pa。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海安南京大学高新技术研究院;南京大学;南通南京大学材料工程技术研究院，未经海安南京大学高新技术研究院;南京大学;南通南京大学材料工程技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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