[发明专利]一种实现多值存储的阻变存储器的制备方法有效
| 申请号： | 201710167921.0 | 申请日： | 2017-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN106887519B | 公开（公告）日： | 2020-07-21 |
| 发明（设计）人： | 刘琦;伍法才;刘明;龙世兵;吕杭炳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 实现 存储 存储器 制备 方法 | ||
1.一种实现多值存储的阻变存储器制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：在衬底上形成下电极，并在下电极上形成功能层；
S2：对功能层进行离子注入，在功能层中形成不连续的金属颗粒；
S3：在功能层上形成上电极；
所述下电极材料包括Ru、TaN、IrO2、ITO或IZO；
所述功能层材料包括Al2O3或TiOx；
所述步骤S2中采用的离子注入材料包括Ag、Cu、Cr或W。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述下电极材料还包括Pt、W、Al或TiN。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述功能层材料还包括SiO2、HfO2或TaOx。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射、脉冲激光沉积或原子层沉积方法在下电极上形成功能层。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述上电极材料为Pt、W、Ru、Al、TiN、TaN、IrO2、ITO、IZO中至少一种。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S1中，通过光刻、剥离在衬底上沉积下电极。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S3中，通过光刻、剥离在功能层上沉积上电极。
8.如权利要求6 或7 所述的制备方法，其特征在于，所述上电极和下电极通过电子束蒸发、化学气相沉积、脉冲激光沉积、原子层沉积或溅射方法中的一种制备完成。
9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为硅片。
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