[发明专利]一种水滑石限域合成席夫碱分子的抗紫外线复合材料、制备方法及应用

权利要求书

1.一种水滑石限域合成席夫碱分子的抗紫外线复合材料，其特征在于，以可插层的水滑石为分子反应器，通过离子交换法插层含有氨基结构的有机盐，与醛类中性分子在水滑石层间进行限域反应合成席夫碱分子。

2.根据权利要求1所述的水滑石限域合成席夫碱分子的抗紫外线复合材料，其特征在于，所述的可插层的水滑石分子反应器的结构式为[M^Ⅱ_1-xM^Ⅲ_x(OH)₂]^x+(A^n-)_x/n·yH₂O，其中，x代表M^Ⅲ/(M^Ⅱ+M^Ⅲ)物质的量之比，0.29≦x≦0.35，y代表结晶水分子数，0.7≦y≦1.2；M^Ⅱ为Mg²⁺、Zn²⁺、Ni²⁺、Co²⁺、或Ca²⁺中的一种，M^Ⅲ为Al³⁺、Cr³⁺、Fe³⁺或Co³⁺中的一种，A^n-为Cl^-、NO₃^-、SO₄^2-、或CO₃^2-中的一种，n为化合价数，取值为1或2。

3.根据权利要求1所述的水滑石限域合成席夫碱分子的抗紫外线复合材料，其特征在于，所述的含有氨基结构的有机盐为对氨基苯磺酸钠、间氨基苯磺酸钠、对氨基氯苯或对氨基苯甲酸中的一种；所述的醛类中性分子为水杨醛或苯甲醛。

4.一种水滑石限域合成席夫碱分子的抗紫外线复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A.将0.012-1.2mol二价金属盐和0.006-0.6mol三价金属盐配制为10-1000mL混合盐溶液，将0.036-3.6mol NaOH配制为0.36-36mol/L的碱溶液，然后用成核/晶化隔离法制备水滑石前体，实验条件为1500-4000r/min，在氮气保护下，40-120℃快速搅拌3-10小时，离心、洗涤、干燥，得到可插层水滑石前体；

B.配制浓度为0.005-0.5mol/L的可插层水滑石前体悬浮液；配制浓度为0.0025-0.25mol/L的含有氨基结构的有机盐溶液；在氮气保护下，将两者等体积混合，并快速搅拌，在50-120℃温度下，晶化1-6小时，得到含有氨基结构的有机盐的插层水滑石前体浆液；

C.向步骤B的前体浆液中加入0.00052-0.052mol的醛类有机物，在氮气保护下，继续搅拌3-7小时，离心，洗涤，干燥，得到层间为有机席夫碱分子的抗紫外线复合材料。

5.根据权利要求4所述的水滑石限域合成席夫碱分子的抗紫外线复合材料的制备方法，其特征在于，所述的二价金属盐为Mg、Zn、Ni、Co、或Ca的硝酸盐或氯盐中的一种；所述的三价金属盐为Al、Cr、Fe或Co的硝酸盐或氯盐中的一种。

6.根据权利要求4所述的水滑石限域合成席夫碱分子的抗紫外线复合材料的制备方法，其特征在于，所述的含有氨基结构的有机盐为对氨基苯磺酸钠、间氨基苯磺酸钠、对氨基氯苯或对氨基苯甲酸中的一种；所述的醛类有机物为水杨醛或苯甲醛。

7.将权利要求1-3任一项所述的水滑石限域合成席夫碱分子的抗紫外线复合材料添加至聚丙烯用于抗紫外线老化，其特征在于，添加量为1-7wt％。