[发明专利]一种多芯片整合封装方法

说明书

本发明公开了一种多芯片整合封装方法，该方法包括：芯片布置、装片固化、布线、塑封、电镀、切筋成型、包装共计7个工艺步骤，该方法能将不同功能芯片进行组合并封装于单颗芯片内，短时间最大效果满足不同市场客户需求，缩减了设计环节，增加了单颗芯片集成化能力，且缩短生产周期，降低设计成本费用。

技术领域

本发明涉及一种芯片封装领域，尤其涉及一种多芯片整合封装方法。

背景技术

目前，市场对封装产品功能多样化及单颗芯片功能要求越来越高，想要实现客户此类要求，需要设计公司对原片进行重新设计，使得单颗芯片具备多种功能，不仅设计成本较高，从设计到试产周期太长，且还需要不断优化，不能满足高速发展变化的时长需求。鉴于以上缺陷，实有必要设计一种多芯片整合封装方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种多芯片整合封装方法，能将多颗功能芯片进行整合封装，且生产周期短，成本低。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种多芯片整合封装方法，该方法包括以下步骤：

1)芯片布置：根据多块功能芯片按功能及尺寸，确定芯片布置方式，所述的芯片布置方式为水平方向水平布置、竖直方向堆叠布置中的一种或多种组合；

2)装片固化：根据步骤1)选定的芯片布置方式，将各功能芯片依次进行装片，直到所有功能芯片装完后送入烘箱内进行烘烤固化，所述烘箱烘干温度为173℃-175℃，烘干时间为2.5h；

3)布线：将步骤2)装片固化后的功能芯片放置于键合加热平台上端，对功能芯片进行自动植球，植球后使用劈刀进行反向切球，将所植的点焊球顶面做出一个反向切面平台，使用键合丝将该反向切面平台依次互联，将各功能芯片导通，当连接两反向切面平台的键合丝长度大于2000微米而小于3000微米时，在键合丝的中心处设置多折点结构；当连接两反向切面平台的键合丝长度大于3000微米而小于6000微米时，在键合丝的1/3处、2/3处设置多折点结构，用于避免漂移及塌线，所述的键合丝材质为纯铜，直径为20-25微米；

4)塑封：将步骤3)完成布线的功能芯片放置于模具内，使用塑封料进行塑封制得半成品，并在180℃-182℃条件下保持90s，以消除半成品内部应力；

5)电镀：将步骤4)制得的半成品引脚进行电镀纯锡；

6)切筋成型：使用剪切机将经步骤5)电镀后的半成品按规定尺寸切开制得成品；

7)包装：使用自动测试机对步骤6)制得的成品进行电性检测后进行自动包装即可。

本发明进一步的改进如下：

进一步的，所述步骤3)中键合加热平台加热温度为230℃-235℃。

本发明有益效果：该方法能将不同功能芯片进行组合并封装于单颗芯片内，短时间最大效果满足不同市场客户需求，缩减了设计环节，增加了单颗芯片集成化能力，且缩短生产周期，降低设计成本费用。

附图说明

图1示出本发明流程图

具体实施方式

实施例1

如图1所示，一种多芯片整合封装方法，该方法包括以下步骤：

1)芯片布置：根据多块功能芯片按功能及尺寸，确定芯片布置方式，所述的芯片布置方式为水平方向水平布置、竖直方向堆叠布置中的一种或多种组合；

2)装片固化：根据步骤1)选定的芯片布置方式，将各功能芯片依次进行装片，直到所有功能芯片装完后送入烘箱内进行烘烤固化，所述烘箱烘干温度为175℃，烘干时间为2.5h；