[发明专利]用于压印光刻的无缝大面积主模板的制造有效

专利信息
申请号: 201710168787.6 申请日: 2012-12-19
公开(公告)号: CN107015433B 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: D·J·雷斯尼克;M·N·米勒;F·Y·徐 申请(专利权)人: 分子制模股份有限公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;B29D11/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 赵晓光
地址: 美国得*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 压印 光刻 无缝 大面积 模板 制造
【说明书】:

公开了用于压印光刻的无缝大面积主模板的制造。描述了形成可用于图案化包括例如线栅偏振器(WGP)的大面积光学装置的大面积模板的方法。这些方法提供这种大面积装置的无缝图案化。

本申请是国际申请号为PCT/US2012/070639、国际申请日为2012年12月19日、进入中国国家阶段的申请号为201280062807.7、名称为《用于压印光刻的无缝大面积主模板的制造》的发明专利申请的分案申请。

相关申请的交叉参考

本申请要求2011年12月19日提交的序列号为61/577,135的美国申请为优先权,其整体内容合并于本文以供参考。

背景技术

纳米制造包括制造具有100纳米或更小量级特征的很小结构。纳米制造具有相当大影响的一个应用在于集成电路的加工。半导体加工业不断致力于更高的生产良率同时增加基板上每单位面积所形成的电路;因此纳米制造变得日益重要。纳米制造提供较大的工艺控制同时容许持续降低所形成结构的最小特征尺寸。已经采用纳米制造的其它发展领域包括生物技术、光学技术、机械系统、及类似领域。

现今使用的一种示例性纳米制造技术通常称之为压印光刻。示例性压印光刻工艺在许多公开中都有详细的描述,诸如美国专利公开2004/0065976、美国专利公开2004/0065252、及美国专利6,936,194,其皆合并于本文以供参考。

在上述美国专利公开及专利的每一个之中所公开的压印光刻技术包括在可成形(可聚合)层中形成凹凸图案以及将对应于该凹凸图案的图案转移至下面基板中。该基板可耦合至运动平台以获得一想要的定位以利于图案化工艺。图案化工艺使用与基板隔开的模板以及施加于模板与基板之间的可成形液体。使该可成形液体固化,以形成具有图案的刚性层,该图案和接触可成形液体的模板表面的形状一致。在固化之后,自刚性层分离模板使得模板与基板隔开。基板及固化层随后经历额外的工艺,以将对应于固化层中的图案的凹凸图像转移至基板内。

附图说明

可参照附图所示的实施例更特别地描述本发明的实施例,以详细理解本发明的特征及优点。然而需要注意,附图只显示本发明的典型实施例,因此认为其不限制本发明的范围,本发明容许其它同等有效的实施例。

图1所示为光刻系统的简化侧视图,其具有与基板隔开的模板及模具。

图2所示为图1所示的基板的简化图,其上具有图案化层。

图3A至3D所示为在基板上压印大面积无接缝图案的示例性方法。

图4所示为根据本发明一实施例的用于形成大面积无接缝图案的图案化的场。

图5所示为从图4的图案化的场形成的一大面积无接缝图案。

图6A至6D所示为根据本发明的一实施例的用于形成主模板的示例性方法。

图7所示为用于压印大面积无接缝图案的一示例性暗场掩模。

图8所示为用于大面积图案化的相邻的场邻接的示例。

图9所示为用于大面积图案化的相邻的场邻接的另一示例。

图10所示为用于大面积图案化的相邻的场邻接的又另一示例。

图11A至11D所示为根据本发明的一实施例的用于形成主模板的示例性方法及所产生的打印图案。

图12A至12B所示为用于大面积图案化的相邻的场邻接的另一示例。

图13A至13E所示为根据本发明的一实施例的用于形成主模板的另一示例性方法。

图14A至14E所示为根据本发明的一实施例的用于形成主模板的又另一示例性方法。

具体实施方式

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