[发明专利]电子封装件及其制法有效
申请号: | 201710169092.X | 申请日: | 2017-03-21 |
公开(公告)号: | CN108538731B | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 赖杰隆;陈正逸;卢俊宏;叶懋华 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/485 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台湾台中*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 封装 及其 制法 | ||
1.一种电子封装件,其特征为,该电子封装件包括:
封装层,其具有相对的第一表面与第二表面;
至少一电子元件,其嵌埋于该封装层中;
线路结构,其形成于该封装层的第一表面上且电性连接该电子元件;以及
应力平衡层,其形成于该封装层的部分第二表面上;以及
包覆层,其包覆该应力平衡层,且该包覆层与该封装层成为一体。
2.根据权利要求1所述的电子封装件,其特征为,该电子元件具有相对的作用面与非作用面,该作用面具有多个电性连接该线路结构的电极垫。
3.根据权利要求2所述的电子封装件,其特征为,该非作用面外露出该封装层。
4.一种电子封装件,其特征为,该电子封装件包括:
封装层,其具有相对的第一表面与第二表面;
至少一电子元件,其嵌埋于该封装层中;
线路结构,其形成于该封装层的第一表面上且电性连接该电子元件;以及
应力平衡层,其形成于该封装层的部分第二表面的多个区域上。
5.根据权利要求1或4所述的电子封装件,其特征为,该应力平衡层还结合于该电子元件上。
6.根据权利要求1或4所述的电子封装件,其特征为,该应力平衡层占用该封装层的第二表面的面积的百分比为1%至99%。
7.根据权利要求6所述的电子封装件,其特征为,该应力平衡层占用该封装层的第二表面的面积的百分比为10%至90%。
8.一种电子封装件的制法,其特征为,该制法包括:
将至少一电子元件接置于一承载件上;
形成封装层于该承载件上以包覆该电子元件,且该封装层具有相对的第一表面与第二表面,并以其第一表面结合该承载件;
形成应力平衡层于该封装层的部分第二表面上;
移除该承载件;以及
形成线路结构于该封装层的第一表面上以电性连接该电子元件;以及
形成包覆该应力平衡层的包覆层,该包覆层与该封装层成为一体。
9.根据权利要求8所述的电子封装件的制法,其特征为,该电子元件具有相对的作用面与非作用面,该作用面具有多个电性连接该线路结构的电极垫。
10.根据权利要求9所述的电子封装件的制法,其特征为,该非作用面外露出该封装层。
11.一种电子封装件的制法,其特征为,该制法包括:
将至少一电子元件接置于一承载件上;
形成封装层于该承载件上以包覆该电子元件,且该封装层具有相对的第一表面与第二表面,并以其第一表面结合该承载件;
形成应力平衡层于该封装层的部分第二表面的多个区域上;
移除该承载件;以及
形成线路结构于该封装层的第一表面上以电性连接该电子元件。
12.根据权利要求8或11所述的电子封装件的制法,其特征为,该应力平衡层还结合于该电子元件上。
13.根据权利要求8或11所述的电子封装件的制法,其特征为,该应力平衡层占用该封装层的第二表面的面积的百分比为1%至99%。
14.根据权利要求13所述的电子封装件的制法,其特征为,该应力平衡层占用该封装层的第二表面的面积的百分比为10%至90%。
15.根据权利要求8或11所述的电子封装件的制法,其特征为,该制法还包括进行切单制程。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽品精密工业股份有限公司,未经矽品精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710169092.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:封装方法
- 下一篇:半导体器件以及制造半导体器件的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造