[发明专利]非线性光学薄膜In2Te3的吸收调控方法及其在光限幅领域的应用

权利要求书

1.一种非线性光学薄膜In₂Te₃的吸收调控方法，其特征在于，具体步骤如下：

（1）首先以In₂Te₃为靶材，采用射频磁控溅射的方法，通过固定射频功率改变溅射时间制备得到样品，再将样品在氮气氛围下退火，得到不同厚度的In₂Te₃In₂Te₃薄膜；接着通过飞秒激光开孔Z扫描法测量不同厚度的In₂Te₃薄膜的非线性吸收响应强度，通过对非线性吸收强度和薄膜厚度的线性拟合，获得 In₂Te₃薄膜的非线性吸收临界厚度；

（2）观察小于和大于非线性吸收临界厚度的In₂Te₃薄膜的饱和吸收和反饱和吸收变化，总结出薄膜厚度和非线性吸收特性变化的规律；

（3）根据薄膜厚度和非线性吸收特性的规律，通过调整薄膜厚度调控非线性吸收的强度和类型。

2.根据权利要求1所述的吸收调控方法，其特征在于，步骤（1）中，制备4~5个不同厚度的In₂Te₃薄膜。

3.根据权利要求1所述的吸收调控方法，其特征在于，步骤（1）中，飞秒激光开孔Z扫描法采用采用改进的开孔Z-Scan方法，将光路进行折叠，并将聚焦透镜、样品台、探测器靠在位移台边缘处，保证光路绝对准直；通过探测器收集到的光功率变化，观察材料的非线性吸收响应并反推出其非线性吸收系数。

4.一种根据权利要求1所述的吸收调控方法在光限幅领域的应用，其特征在于，大于非线性吸收临界厚度的In₂Te₃薄膜作为光限幅器件。