[发明专利]通孔缺陷的检测方法在审
| 申请号： | 201710169784.4 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN106952840A | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 尹彬锋;吴奇伟;范庆言;周柯;高金德 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缺陷 检测 方法 | ||
1.一种通孔缺陷的检测方法，其特征在于，包括：
提供晶圆，在所述晶圆中形成测试结构，所述测试结构包括依次分布的多段硅化物层、位于各段硅化物层两端的通孔及连接相邻两段硅化物上通孔的多段金属线；
将所述测试结构的一端连接地端，另一端连接电流源；
依次增加所述电流源的电流值，检测所述测试结构的阻值，当阻值增大至预定比例时，记录此时的电流值为所述通孔的电流耐受值。
2.如权利要求1所述的通孔缺陷的检测方法，其特征在于，所述测试结构形成于所述晶圆的切割道中。
3.如权利要求1所述的通孔缺陷的检测方法，其特征在于，还包括：将存在通孔缺陷的晶圆与正常晶圆进行比较，判定存在通孔缺陷的晶圆的可靠性。
4.如权利要求1所述的通孔缺陷的检测方法，其特征在于，所述硅化物层的宽度大于所述通孔的宽度，且为所述通孔的宽度的3～6倍。
5.如权利要求1所述的通孔缺陷的检测方法，其特征在于，所述金属线的宽度大于所述通孔的宽度，且为所述通孔的宽度的3～6倍。
6.如权利要求1所述的通孔缺陷的检测方法，其特征在于，所述预设比例为5％～20％。
7.如权利要求1所述的通孔缺陷的检测方法，其特征在于，所述测试结构一端的金属线连接地端，另一端的通孔连接电流源。
8.如权利要求1所述的通孔缺陷的检测方法，其特征在于，所述测试结构包括2～1000段硅化物层。
9.如权利要求1所述的通孔缺陷的检测方法，其特征在于，所述通孔的材质为金属钨。
10.如权利要求1所述的通孔缺陷的检测方法，其特征在于，所述金属线的材质为金属铜或金属铝。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
