[发明专利]一种实现短波长紫外LED的外延结构在审
| 申请号： | 201710170540.8 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN106910802A | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 何苗;黄波;熊德平;杨思攀;王润 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32;H01L33/14 |
| 代理公司： | 广东广信君达律师事务所44329 | 代理人： | 杨晓松 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 实现 波长 紫外 led 外延 结构 | ||
1.一种实现短波长紫外LED的外延结构，其特征在于：所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、未掺杂的GaN层、掺杂N型GaN层、多量子阱AlGaN/GaN层、P型AlGaN电子阻挡层、渐变P型AlGaN层和P型GaN层。
2.根据权利要求1所述的一种实现短波长紫外LED的外延结构，其特征在于：所述衬底为蓝宝石衬底。
3.根据权利要求1所述的一种实现短波长紫外LED的外延结构，其特征在于：所述GaN缓冲层的厚度为20～25nm，生长温度为530-550℃，并在1030-1080℃恒温6-8分钟使GaN缓冲层重结晶。
4.根据权利要求1所述的一种实现短波长紫外LED的外延结构，其特征在于：所述未掺杂的GaN层的厚度为2.0～2.5μm，生长温度为1030-1080℃。
5.根据权利要求1所述的一种实现短波长紫外LED的外延结构，其特征在于：所述掺杂N型GaN层的厚度为2.5-3μm，生长温度为1030-1080℃。
6.根据权利要求1所述的一种实现短波长紫外LED的外延结构，其特征在于：所述多量子阱AlGaN/GaN层由多量子阱AlGaN层和多量子阱GaN层按6个周期的交替生长而成，其中每层多量子阱AlGaN层组分比例为Al0.15Ga0.85N，厚度为8-10nm；每层多量子阱GaN层为2-3nm厚，生长温度为1020-1050℃。
7.根据权利要求1所述的一种实现短波长紫外LED的外延结构，其特征在于：所述P型AlGaN电子阻挡层的组分比例为Al0.3Ga0.7N，厚度为10-15nm，生长温度为960-1000℃。
8.根据权利要求1所述的一种实现短波长紫外LED的外延结构，其特征在于：所述渐变P型AlGaN层具体组分为AlxGa1-x，x为从0.25到0.1的线性降低，厚度为90-110nm，生长温度为960-1000℃。
9.根据权利要求1所述的一种实现短波长紫外LED的外延结构，其特征在于：所述P型GaN层的厚度为20-25nm，生长温度为960-1000℃，并在680-730℃下退火20-25分钟。
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