[发明专利]一种薄膜封装结构、薄膜封装方法及显示装置有效
| 申请号： | 201710171082.X | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN106876607B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 宋文峰 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 胡艳华;李丹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 封装 结构 方法 显示装置 | ||
1.一种薄膜封装结构，其特征在于，包括：
在电致发光单元结构外部由内而外依次覆盖的无机层、缓冲层和有机层；所述缓冲层的成分包括六甲基二甲硅醚HMDSO，用于改善有机层涂布的接触面特性，所述缓冲层的厚度小于所述有机层的厚度；
所述缓冲层的固化通入等离子体；所述等离子体包括：含氧等离子体和/或含氟等离子体；
所述缓冲层的固化在不同区域通入的等离子体的浓度不同，或者在不同区域通入的等离子体不同。
2.根据权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于：
所述缓冲层的沉积采用化学气相沉积PECVD方式；
所述缓冲层的沉积与所述无机层的沉积同处一个工艺腔室；
所述缓冲层的固化在化学气相沉积PECVD腔室中进行；或者在喷墨打印IJP工艺前处理腔室中进行；其中，所述有机层采用喷墨打印IJP方式进行沉积。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜封装结构，其特征在于：
所述缓冲层的厚度是：0.1微米～0.3微米。
4.一种薄膜封装方法，包括：
在包覆电致发光单元结构的无机层上覆盖缓冲层；
所述缓冲层的固化通入等离子体；所述等离子体包括：含氧等离子体和/或含氟等离子体；
所述缓冲层的固化在不同区域通入的等离子体的浓度不同，或者在不同区域通入的等离子体不同；
在所述缓冲层的表面覆盖有机层；
所述缓冲层的成分包括六甲基二甲硅醚HMDSO，用于改善有机层涂布的接触面特性，所述缓冲层的厚度小于所述有机层的厚度。
5.根据权利要求4所述的薄膜封装方法，其特征在于：
所述缓冲层的沉积采用化学气相沉积PECVD方式；
所述缓冲层的沉积与所述无机层的沉积同处一个工艺腔室；
所述缓冲层的固化在化学气相沉积PECVD腔室中进行；或者在喷墨打印IJP工艺前处理腔室中进行；其中，所述有机层采用喷墨打印IJP方式进行沉积。
6.根据权利要求4或5所述的薄膜封装方法，其特征在于：
所述缓冲层的厚度是：0.1微米～0.3微米。
7.一种显示装置，其特征在于，包括有机电致发光二极管OLED器件，所述OLED器件具有如权利要求1-3中任一项所述的薄膜封装结构。
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