[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括彼此间隔开的第一器件区和第二器件区；

在所述第一器件区和所述第二器件区的表面上形成第一氧化物层；

在所述第一氧化物层下的所述第一器件区和所述第二器件区中形成第二氧化物层；

在所述第一器件区的第一氧化物层上形成掩模层；

以所述掩模层为掩模去除所述第二器件区的第一氧化物层和第二氧化物层，所述第一器件区的第一氧化物层和第二氧化物层作为用于所述第一器件区的栅极氧化物层；

去除所述掩模层；

在所述第二器件区的表面上形成用于所述第二器件区的栅极氧化物层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述第二氧化物层下的所述第一器件区和所述第二器件区中形成第三氧化物层；

其中，以所述掩模层为掩模去除所述第二器件区的第一氧化物层、第二氧化物层和第三氧化物层，所述第一器件区的第一氧化物层、第二氧化物层和第三氧化物层作为用于所述第一器件区的栅极氧化物层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述第一器件区和所述第二器件区的第一氧化物层上形成第四氧化物层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过炉管氧化工艺形成所述第一氧化物层。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，通过炉管氧化工艺形成所述第三氧化物层。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述炉管氧化工艺的工艺条件为：

温度为700-1000℃；

压力为0.5-760torr；

反应气体为O₂，或O₂和H₂的混合气体，或O₂和N₂的混合气体；

时间为5min-2h。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过现场水汽生成工艺形成所述第二氧化物层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述现场水汽生成工艺的工艺条件为：

温度为700-1100℃；

压力为0.5-20torr；

反应气体为O₂和H₂的混合物，或N₂O和H₂的混合物；

时间为8s-120s。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在形成所述第一氧化物层之前，对所述第一器件区和所述第二器件区的表面进行预清洗。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一氧化物层的厚度为5-50埃；

所述第二氧化物层的厚度为5-100埃。

11.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第三氧化物层的厚度为5-50埃。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一器件区为输入/输出器件区，所述第二器件区为内核器件区。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，用于所述第二器件区的栅极氧化物层的厚度小于用于所述第一器件区的栅极氧化物层。