[发明专利]一种噻苯隆甘草增殖培养基

权利要求书

1.一种噻苯隆甘草增殖培养基，其特征在于，其以MS培养基为基础培养基，并添加TDZ（噻苯隆）、NAA（萘乙酸）、活性炭、硝酸铈、维生素、琼脂粉和白砂糖。

2.根据权利要求1所述的一种噻苯隆甘草增殖培养基，其特征在于，TDZ（噻苯隆）的浓度为0.04-0.08mg/L、NAA（萘乙酸）的浓度为1-4 mg/L、活性炭的浓度为0.05-0.2 mg/L、硝酸铈的浓度为1-5g/L，维生素的浓度为0.1-0.5mg/L，琼脂粉的浓度为8-12g/L、白砂糖的浓度为5-10g/L。

3.根据权利要求1所述的一种噻苯隆甘草增殖培养基，其特征在于，TDZ（噻苯隆）的浓度为0.05-0.07mg/L、NAA（萘乙酸）的浓度为2-3 mg/L、活性炭的浓度为0.1-0.15 mg/L、硝酸铈的浓度为2-4g/L，维生素的浓度为0.2-0.4mg/L，琼脂粉的浓度为9-11g/L、白砂糖的浓度为6-8g/L。

4.根据权利要求1至3其中之一所述的一种噻苯隆甘草增殖培养基，其特征在于，所述的培养基的pH值为5.0-6.0。

5.根据权利要求4所述的一种噻苯隆甘草增殖培养基，其特征在于，所述的培养基的pH值为5.4。

6.根据权利要求1至3其中之一所述的一种噻苯隆甘草增殖培养基，其特征在于，所述的维生素是维生素C。

7.一种噻苯隆甘草增殖培养基的配制方法，其特征在于，其包括以下步骤：

步骤S10，使用电子秤按照MS培养基标准配方配制1000倍MS培养基母液；

步骤S20，取MS培养基母液配制MS培养基，并按配方添加活性炭、硝酸铈、琼脂粉和白砂糖，使用盐酸或者氢氧化钠调节培养基pH值；

步骤S30，使用高温高压蒸汽灭菌锅用121℃对培养基灭菌20分钟，取出培养基并在超净工作台中静置冷却；

步骤S40，按照配方配制TDZ（噻苯隆）、NAA（萘乙酸）和维生素溶液，并进行过滤灭菌；

步骤S50，待培养基冷却到60℃时向培养基中加入步骤S40配制好的试剂，摇晃均匀，静置，冷却凝固。