[发明专利]用于在导线键合的半导体器件中稳定引线的结构和方法

权利要求书

1.一种引线框架，其包含：

由细长金属引线包围的金属焊盘，其中所述引线通过间隙与所述焊盘隔开并且延伸到框架；

由基底金属板制成的所述焊盘和所述引线具有第一厚度并且具有第一表面和与所述第一表面相对且平行的第二表面；

所述引线的每个具有接近所述间隙的第一部分和接近所述框架的第一厚度的第二部分，以及在所述第一部分与所述第二部分之间的减小的第二厚度的区域，其中所述第一部分包括跨越所述引线的宽度的两个分部，其中第一分部具有第一厚度，第二分部具有不同于所述第一厚度的第二厚度；

其中所述第一部分具有带有能够键合冶金的第一表面以及与所述第二部分的所述第二表面共面的第二表面。

2.根据权利要求1所述的引线框架，其中所述基底金属选自包括铜、铜合金、铝、铝合金、铁镍合金和科伐合金的群组。

3.根据权利要求2所述的引线框架，其中所述能够键合冶金包括镀覆在所述基底金属上的一层镍和镀覆在所述镍层上的一层钯。

4.根据权利要求3所述的引线框架，其中所述能够键合冶金进一步包括镀覆在所述钯层上的一层金。

5.一种半导体器件，其包含：

引线框架，其包含由细长引线包围的焊盘，所述引线通过间隙与所述焊盘隔开并且延伸到框架，由基底金属板制成的所述焊盘和所述引线具有第一厚度并且具有第一表面和与所述第一表面相对且平行的第二表面，所述引线的每个具有接近所述间隙的第一部分和接近所述框架的第一厚度的第二部分以及在所述第一部分与所述第二部分之间的减小的第二厚度的区域，其中所述第一部分包括跨越所述引线的宽度的两个分部，其中第一分部具有第一厚度，第二分部具有不同于所述第一厚度的第二厚度，所述第一部分的所述第二表面与所述第二部分的所述第二表面共面；

附连到所述焊盘的所述第一表面的半导体芯片，所述芯片具有端子；以及

从所述端子到相邻引线的所述第一表面的金属导线连接，所述连接包括附连到所述引线的所述第一表面的针脚式键合。

6.根据权利要求5所述的器件，其中所述针脚式键合包括扩散键合。

7.根据权利要求6所述的器件，其进一步包括密封所述芯片、导线连接件以及至少一部分所述细长引线的聚合化合物的封装件，所述化合物附着到被密封的实体的材料上。

8.一种用于针脚式键合到稳定的引线上的方法，其包含：

提供引线框架，所述引线框架包括由布置成图案的细长引线包围的焊盘，每个引线具有接近所述焊盘的减小厚度的部分；

将柔顺、非粘性的耐热材料以一种配置定位在加热块上以支撑所述细长引线的所述减小厚度的部分；

将所述引线框架放置在所述加热块上，其中所述引线的所述减小厚度的部分被搁置在所述柔顺材料上；

将半导体芯片附连到所述焊盘，所述芯片具有端子；以及

将导线键合到所述端子，使所述导线跨越到相应的引线，并且在所述引线的所述减小厚度的部分上形成针脚式键合。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述针脚式键合是基于金属相互扩散的扩散键合。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述导线选自包括铜、铜合金、金和铝及其合金的群组。

11.根据权利要求10所述的方法，其中到所述端子的所述键合是球形键合，每个球形键合包括形成无空气球、将所述球压扁到相应的芯片端子上以及形成球形键合的过程。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述球形键合基于形成金属间层。