[发明专利]一种双boost结构的软开关整流充电复用电路

权利要求书

1.一种双boost结构的软开关整流充电复用电路，其特征在于：包括晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q5、二极管D1、二极管D2、二极管D5、二极管D7、二极管D8、电容C1、电容C3和电感L3；

所述电感L3和晶体管Q5同向串联而成的支路，同向并联于所述晶体管Q1、晶体管Q2和电容C1同向串联而成的支路，所述二极管D7和二极管D8同向串联而成的支路并联于所述电感L3与晶体管Q5之间；

所述二极管D1并联于晶体管Q1的两端，二极管D2并联于晶体管Q2的两端，二极管D5并联于晶体管Q5的两端；

所述电容C3并联于电感L3和二极管D7组成支路的两端；

还包括晶体管Q3、晶体管Q6、晶体管Q4、二极管D3、二极管D6、二极管D4、二极管D9、二极管D10、电容C2、电容C4和电感L4；

所述晶体管Q3、晶体管Q4和电容C2串联构成回路，电感L4、晶体管Q6与二极管D9和二极管D10串联的支路并联于所述晶体管Q3、晶体管Q4和电容C2串联构成的回路；

所述二极管D3并联于晶体管Q3的两端，二极管D4并联于晶体管Q4的两端，二极管D6并联于晶体管Q6的两端；

所述电容C4并联于电感L4和二极管D9组成支路的两端；

还包括晶闸管SCR3、晶闸管SCR4、晶闸管SCR5、晶闸管SCR6、正电池组PBat、负电池组NBat、电感L1和电感L2；

所述晶闸管SCR3和晶闸管SCR4并联后的一端与正电池组PBat串联，晶闸管SCR5和晶闸管SCR6并联后的一端与负电池组NBat串联；

所述晶闸管SCR3和晶闸管SCR4并联后的另一端与电感L1串联，晶闸管SCR5和晶闸管SCR6并联后的另一端与电感L2串联。

2.根据权利要求1所述的一种双boost结构的软开关整流充电复用电路，其特征在于：还包括市电、晶闸管SCR1、晶闸管SCR2，所述市电的火线的正极与晶闸管SCR1的一端相连，晶闸管SCR1的另一端连接于电感L1的正极；

所述市电的火线的负极与晶闸管SCR2的一端相连，晶闸管SCR2的另一端连接于电感L2的正极；

所述市电的零线N的一端连接于正电池组PBat的负极，零线N的另一端连接于负电池组NBat的正极。

3.根据权利要求1所述的一种双boost结构的软开关整流充电复用电路，其特征在于：所述晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4、晶体管Q5和晶体管Q6为绝缘栅双极型晶体管IGBT。