[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括器件区和标记区；

在所述器件区和标记区衬底上形成停止层；

在所述器件区和标记区停止层上形成阻挡层；

在所述器件区和标记区阻挡层上形成第一刻蚀层；

对所述器件区和标记区第一刻蚀层进行第一刻蚀，在所述器件区第一刻蚀层中形成第一开口，并在所述标记区第一刻蚀层中形成第一标记开口，所述第一标记开口在所述衬底表面的投影图形为第一投影图形；

对所述器件区和标记区第一刻蚀层进行第二刻蚀，在所述器件区第一刻蚀层中形成第二开口，并在所述标记区的阻挡层和第一刻蚀层中的一者或两者中形成第二标记开口，所述第二标记开口在所述衬底表面的投影图形为第二投影图形；

在所述器件区和标记区第一刻蚀层上、第一开口中、第二开口中、第一标记开口中和第二标记开口中形成第二刻蚀层；

在所述第二刻蚀层上形成图形化的光刻胶；

以所述图形化的光刻胶为掩膜对所述第二刻蚀层进行第三刻蚀，在所述器件区第二刻蚀层中形成第三开口，并在所述标记区第二刻蚀层中形成第三标记开口，所述第三标记开口在所述衬底表面的投影图形为第三投影图形，所述第一投影图形与第二投影图形不重叠，或者所述第一投影图形与第三投影图形不重叠，或者所述第二投影图形与所述第三投影图形不重叠。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一开口和第一标记开口的步骤包括：在所述第一刻蚀层上形成图形化的第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜对所述第一刻蚀层进行第一刻蚀；

形成所述第二开口和第二标记开口的步骤包括：在所述第一刻蚀层上形成图形化的第二掩膜层；以所述第二掩膜层为掩膜对所述第一刻蚀层进行第二刻蚀。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一投影图形与所述第二投影图形不重叠，所述第二标记开口位于所述第一刻蚀层中，且所述第一刻蚀层暴露出所述阻挡层；

或者，所述第一投影图形与所述第二投影图形完全重叠，且第一投影图形与所述第三投影图形不重叠，所述第二标记开口位于所述第一标记开口底部的阻挡层中。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一投影图形与所述第二投影图形部分重叠，所述第一投影图形与所述第二投影图形的重叠部分为重叠图形；所述第三投影图形与所述重叠图形不重叠。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二标记开口位于所述阻挡层和所述第一刻蚀层中。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一投影图形、第二投影图形和第三投影图形分别为中心对称图形；所述第一投影图形、第二投影图形和第三标投影图形的对称中心重合。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一投影图形为“十”字型，所述第二投影图形包括多个“十”字型图形，且多个“十”字型图形呈中心对称排列；所述第三投影图形包括多个圆形，且多个圆形呈“十”字型分布。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一投影图形和第二投影图形为“十”字型，所述第三投影图形包括多个点阵图形，所述点阵图形包括多个圆形图形，所述多个圆形图形排列成十字型，多个点阵图形呈中心对称分布。

9.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一投影图形为“十”字型，所述第二投影图形为“十”字环形；所述第三投影图形包括多个圆形，且多个圆形排列呈“十”字型。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述停止层为含有氮原子的化合物。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为氧化硅；所述第一刻蚀层的材料为氮化钛或氮化钽。