[发明专利]转换速率可控的半导体电源保护装置

权利要求书

1.转换速率可控的半导体电源保护装置，其特征在于，包括电源、PMOS管负载开关、使能开关、速率转换控制器、微控制器，所述电源与PMOS管负载开关的源极连接，PMOS管负载开关的漏极与负载连接，PMOS管负载开关的栅极与速率转换控制器连接，所述使能开关与速率转换控制器连接，所述微控制器与速率转换控制器连接；所述PMOS管负载开关用于控制浪涌电流；所述速率转换控制器用于控制PMOS管负载开关，所述使能开关用于控制速率转换控制器的工作状态，所述微控制器用于调节速率转换控制器的速率转换的快慢；

其中，所述速率转换控制器包括缓冲器、场效应管M4、场效应管M5、场效应管M6、场效应管M7、场效应管M8、场效应管M9，所述场效应管M4的栅极和场效应管M5的栅极连接，所述场效应管M4的源极与场效应管M6的漏极连接，所述场效应管M4的漏极与场效应管M5的漏极连接；所述场效应管M6的源极接地，且自身的漏极与自身的源极连接；所述场效应管M6的栅极与场效应管M7的栅极连接，场效应管M7的栅极与自身的漏极连接，场效应管M7的漏极与场效应管M8的漏极连接，所述场效应管M8的源极与场效应管M9的源极连接，所述场效应管M9的栅极与场效应管M8 的栅极连接，所述场效应管M9的漏极与微控制器连接，场效应管M9的栅极与自身的漏极连接；场效应管M7的源极与场效应管M6的源极连接；所述场效应管M5的源极连接在场效应管M8的源极与场效应管M9的源极连接的线路上；场效应管M5 的源极还与PMOS 管的源极连接。

2.转换速率可控的半导体电源保护装置，其特征在于，包括电源、PMOS管负载开关、使能开关、速率转换控制器、微控制器，所述电源与PMOS管负载开关的源极连接，PMOS管负载开关的漏极与负载连接，PMOS管负载开关的栅极与速率转换控制器连接，所述使能开关与速率转换控制器连接，所述微控制器与速率转换控制器连接；所述PMOS管负载开关用于控制浪涌电流；所述速率转换控制器用于控制PMOS管负载开关，所述使能开关用于控制速率转换控制器的工作状态，所述微控制器用于调节速率转换控制器的速率转换的快慢；

所述速率转换控制器包括振荡器、门驱动器、参考电流发生器，所述振荡器与参考电流发生器连接，所述振荡器与门驱动器连接，所述参考电流发生器与门驱动器连接；所述使能开关连接在振荡器与参考电流发生器连接的线路上，所述微控制器连接在门驱动器上，所述PMOS管负载开关的栅极与门驱动器连接；

所述门驱动器包括场效应管M1、场效应管M2、场效应管M3，所述场效应管M2的栅极与振荡器的一根时钟线CLKB连接，所述场效应管M3的栅极与使能开关连接，场效应管M1的栅极与振荡器的另一根时钟线CLK连接，场效应管M2的漏极与场效应管M3的源极连接，场效应管M2的源极与场效应管M1的源极连接，场效应管M1的漏极与场效应管M3的漏极连接，所述参考电流发生器连接在场效应管M1与场效应管M2连接的线路上；场效应管M3 的源极还与PMOS 管负载开关的源极连接。

3.根据权利要求2所述的转换速率可控的半导体电源保护装置，所述振荡器的两根时钟线产生的两个时钟信号中，其中一个时钟信号的占空比近似为整个时钟周期的1％，该时钟信号的占空比决定了时钟信号的开启上升时间。