[发明专利]图像传感器及其形成方法、工作方法有效

专利信息
申请号: 201710173899.0 申请日: 2017-03-22
公开(公告)号: CN108630714B 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 姚国峰;陆珏;张海芳;刘煊杰 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 徐文欣;吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器 及其 形成 方法 工作
【权利要求书】:

1.一种图像传感器,其特征在于,包括:

衬底,所述衬底包括相对的第一面和第二面,所述衬底包括感光区和连接区,所述感光区衬底中具有感光元件;

位于所述感光区衬底第一面上的缓冲层;

位于所述缓冲层上的金属网格,所述金属网格包括多条交错连接的金属线,所述金属线围成凹槽,所述金属网格用于连接工作电位;

位于所述金属网格的凹槽中的颜色过滤器;

所述衬底中还具有载流子采集器;当所述载流子采集器用于捕获所述感光元件产生的电子时,所述工作电位为零电位或负电位。

2.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,还包括:位于所述衬底上的连接结构,所述连接结构包括位于所述连接区衬底上的焊盘,以及连接所述焊盘与所述金属网格的连接线。

3.如权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,所述感光区衬底还包括透光区和遮光区;

还包括:位于所述衬底第二面的器件层,所述连接区的器件层中具有金属层以及连接所述金属层的插塞;

位于所述遮光区衬底第一面和连接区衬底第一面上的介质结构,所述遮光区介质结构中具有第一开口,所述第一开口底部暴露出所述金属网格,所述连接区介质结构和连接区衬底中具有第二开口,所述第二开口自所述连接区介质结构贯穿至所述连接区衬底,所述第二开口暴露出所述器件层,所述第二开口底部的器件层中具有第三开口,所述第三开口底部暴露出连接区金属层;

所述焊盘位于所述第二开口底部的器件层上;

所述连接线位于所述介质结构上、所述第一开口、第二开口和第三开口底部和侧壁表面,且所述连接线与所述焊盘连接。

4.如权利要求3所述的图像传感器,其特征在于,所述介质结构的材料为氧化硅或氮氧化硅。

5.如权利要求3所述的图像传感器,其特征在于,所述第二开口侧壁与所述衬底第一面的锐角夹角小于50度,所述第二开口底部宽度大于50μm。

6.如权利要求3所述的图像传感器,其特征在于,还包括位于所述遮光区和连接区衬底上的介质结构,所述介质结构暴露出所述金属网格顶部表面;所述焊盘位于所述连接区介质结构上,所述连接线位于所述金属网格表面以及所述介质结构上。

7.如权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,还包括:位于所述连接线上的钝化层,所述钝化层暴露出所述焊盘。

8.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,还包括:位于所述感光区衬底与所述缓冲层之间的抗反射层,所述抗反射层带负电。

9.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述衬底中还具有载流子采集器;当所述载流子采集器用于捕获所述感光元件产生的空穴时,所述工作电位为零电位或正电位。

10.如权利要求9所述的图像传感器,其特征在于,还包括:位于所述感光区衬底与所述缓冲层之间的抗反射层,所述抗反射层带正电。

11.一种图像传感器的形成方法,其特征在于,包括:

提供衬底,所述衬底包括相对的第一面和第二面,所述衬底包括感光区和连接区,所述衬底感光区中具有感光元件;

在所述感光区衬底第一面上形成缓冲层;

在所述缓冲层上形成金属网格,所述金属网格包括多条交错连接的金属线,所述金属线围成凹槽,所述金属网格用于连接工作电位;

在所述金属网格中形成颜色过滤器;

所述衬底中还具有载流子采集器;当所述载流子采集器用于捕获所述感光元件产生的电子时,所述工作电位为零电位或负电位。

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