[发明专利]鳍状场效晶体管结构及其形成方法

权利要求书

1.一种鳍状场效晶体管结构的形成方法，包含：

选择性蚀刻一基板以形成多个鳍状物与多个沟槽；

将一第一氧化物填入所述多个沟槽，该第一氧化物具有一第一材料组成，且该第一材料组成具有一第一应力特性；

蚀刻所述多个鳍状物的一第一鳍状物以移除该第一鳍状物的一第一部分，以形成一孔洞；以及

将一第二氧化物填入该孔洞，以密封该第一鳍状物的一第二部份，该第二氧化物具有一第二材料组成，该第二材料组成具有一第二应力特性，且该第二材料组成与该第一材料组成不同，其中该第二应力特性大于该第一应力特性。

2.如权利要求1所述的鳍状场效晶体管结构的形成方法，其中在蚀刻该第一鳍状物后，该第一鳍状物的上表面具有凹陷的剖视形状。

3.如权利要求1所述的鳍状场效晶体管结构的形成方法，其中该第一氧化物为具有低应力特性的虚置填隙材料。

4.如权利要求1所述的鳍状场效晶体管结构的形成方法，还包括在蚀刻该第一鳍状物后，移除该第一氧化物。

5.如权利要求4所述的鳍状场效晶体管结构的形成方法，其中将该第二氧化物填入该孔洞的步骤包含沉积该第二氧化物至该些沟槽中。

6.如权利要求1所述的鳍状场效晶体管结构的形成方法，还包括：

在蚀刻该第一鳍状物之后，将该第一氧化物转变为一第三氧化物，且该第三氧化物的应力特性高于该第一氧化物的应力特性。

7.如权利要求1所述的鳍状场效晶体管结构的形成方法，其中蚀刻该第一鳍状物的步骤包括蚀刻该第一鳍状物而不蚀刻该第一氧化物。

8.如权利要求1所述的鳍状场效晶体管结构的形成方法，其中该第一应力特性施加于该些鳍状物的一第二鳍状物与一第三鳍状物上，其中该第二鳍状物不与该第一鳍状物相邻，且该第三鳍状物不与该第一鳍状物相邻，其中该第二应力特性施加于该第二鳍状物与该第三鳍状物上。

9.一种鳍状场效晶体管结构的形成方法，包含：

蚀刻一基板以形成多个第一半导体鳍状物、多个第二半导体鳍状物、与多个沟槽，其中该些第一半导体鳍状物穿插于该些第二半导体鳍状物之间；

接着将一虚置填隙氧化物填入该些沟槽，该虚置填隙氧化物包括具有一第一应力特性的一第一材料组成；

蚀刻该些第一半导体鳍状物的一第一鳍状物以切割该第一鳍状物；

移除该虚置填隙氧化物，且移除该虚置填隙氧化物之后，该些第二半导体鳍状物的每一者自相邻的该些沟槽之最低点凸起一第一高度；以及

沉积一浅沟槽隔离氧化物于该些沟槽中及蚀刻的该第一鳍状物上，且在沉积该浅沟槽隔离氧化物之后，该些第二半导体鳍状物的每一者自相邻的该些沟槽之最低点凸起该第一高度，其中该浅沟槽隔离氧化物包括具有一第二应力特性的一第二材料组成，该虚置填隙氧化物与该浅沟槽隔离氧化物不同，其中该第一应力特性小于该第二应力特性。

10.如权利要求9所述的鳍状场效晶体管结构的形成方法，其中蚀刻该第一鳍状物后，该第一鳍状物的上表面具有凹陷的剖视形状。

11.如权利要求9所述的鳍状场效晶体管结构的形成方法，其中该切割该第一鳍状物的步骤包括露出采用一切割图案的该第一鳍状物上的一盖层。

12.如权利要求11所述的鳍状场效晶体管结构的形成方法，其中该切割该第一鳍状物的步骤更包括采用该切割图案作为一掩模并蚀刻该第一鳍状物，以移除该第一鳍状物的一部份。

13.如权利要求9所述的鳍状场效晶体管结构的形成方法，还包括：

沉积一垫氧化物层于一硅基板上；

沉积一氮化硅层于该垫氧化物层上；以及

以一光致抗蚀剂及蚀刻工艺图案化该垫氧化物层与该氮化硅层。