[发明专利]一种碳纳米管垂直阵列的干式接触转移方法

权利要求书

1.一种碳纳米管垂直阵列的干式接触转移方法，其特征在于，利用底部生长机制在生长基底表面合成出较高密度的碳纳米管垂直阵列，经原位弱刻蚀性气体处理后，将垂直阵列放置在任何一种目标基底表面，利用机械力对其施加压力后将原生长基底剥离，碳纳米管垂直阵列留在目标基底表面，实现机械自动化转移；

所制备的碳纳米管垂直阵列遵循底部生长机制，碳纳米管底端被催化剂固定在生长基底表面；碳纳米管垂直阵列应有足够的密度，面密度在10¹¹ 根/cm²以上；

在碳纳米管垂直阵列生长结束切断碳源供给后，继续通入具有弱刻蚀作用的气体H₂、H₂O、CO₂或O₂，保持供给10～30 min；弱刻蚀气体后处理是在不破坏碳纳米管垂直阵列本征结构前提下，弱化碳纳米管底端与催化剂之间的化学键合；

施加压力后依靠碳纳米管垂直阵列自由端与接触面之间的粘结力实现阵列的整体转移；

利用该转移方法得到的碳纳米管垂直阵列，其粘附强度为10～30 N/cm²。

2.按照权利要求1所述的碳纳米管垂直阵列的干式接触转移方法，其特征在于，生长基底是铜、镍、金、铂、钼、钨、钛、硅、氧化硅或氧化铝。

3.按照权利要求1所述的碳纳米管垂直阵列的干式接触转移方法，其特征在于，碳纳米管垂直阵列的厚度低至20 μm、高至1 mm的碳纳米管垂直阵列。

4.按照权利要求1所述的碳纳米管垂直阵列的干式接触转移方法，其特征在于，利用该转移方法转移图案化的碳纳米管垂直阵列，或者将碳纳米管垂直阵列转移到曲面基底或图案化的基底上。

5.按照权利要求1所述的碳纳米管垂直阵列的干式接触转移方法，其特征在于，利用该转移方法得到的碳纳米管垂直阵列，热阻为20～92 K•mm²/W。

6.按照权利要求1所述的碳纳米管垂直阵列的干式接触转移方法，其特征在于，利用该转移方法得到的碳纳米管垂直阵列，面内电导率为100～122 S/cm。