[发明专利]一种雪崩二极管的外延结构及雪崩二极管的制造方法有效
| 申请号： | 201710175097.3 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN106887469B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 黄文勇;王肇中 | 申请（专利权）人： | 武汉光谷量子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 湖北竟弘律师事务所 42230 | 代理人： | 张雯俐 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 雪崩 二极管 外延 结构 制造 方法 | ||
1.一种雪崩二极管的外延结构，其特征在于：包括衬底，衬底的上方形成有光吸收层，光吸收层的上方形成有雪崩增益层，雪崩增益层的上方形成有锌扩散层，所述锌扩散层由InP材料构成，所述雪崩增益层由In0.52Al0.48As材料、InxGa(1-x)AsyP(1-y)材料、InxGayAl(1-x-y)As材料、InxGa(1-x)AsyP(1-y)的成分渐变材料或InxGayAl(1-x-y)As的成分渐变材料构成，其中InxGa(1-x)AsyP(1-y)材料或InxGa(1-x)AsyP(1-y)的成分渐变材料中0<x<1、0<y<1，InxGayAl(1-x-y)As材料或InxGayAl(1-x-y)As的成分渐变材料中0<x<1、0<y<1且0<(x+y)<1。
2.如权利要求1所述的一种雪崩二极管的外延结构，其特征在于：所述InxGa(1-x)AsyP(1-y)的成分渐变材料或InxGayAl(1-x-y)As材料的成分渐变材料的渐变方式采用连续的线性渐变方式或不连续的跳跃渐变方式。
3.如权利要求1所述的一种雪崩二极管的外延结构，其特征在于：所述锌扩散层由不掺杂或是掺杂浓度小于1×1017cm-3的InP材料构成。
4.如权利要求1所述的一种雪崩二极管的外延结构，其特征在于：所述光吸收层由In0.53Ga0.47As材料、InP材料、InxGayAl(1-x-y)As材料或InxGa(1-x)AsyP(1-y)材料构成，其中InxGa(1-x)AsyP(1-y)材料中0<x<1、0<y<1，InxGayAl(1-x-y)As材料中0<x<1、0<y<1且0<(x+y)<1。
5.如权利要求1所述的一种雪崩二极管的外延结构，其特征在于：所述雪崩二极管的外延结构还包括电荷层，所述电荷层设于所述雪崩增益层与所述光吸收层之间，所述电荷层由InxGa(1-x)AsyP(1-y)材料或InxGayAl(1-x-y)As材料构成，其中InxGa(1-x)AsyP(1-y)材料中0<x<1、0<y<1，InxGayAl(1-x-y)As材料中0<x<1、0<y<1且0<(x+y)<1。
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