[发明专利]一种防电源反接防双向浪涌器件及其制造方法

权利要求书

1.一种防电源反接防双向浪涌器件，其特征在于，主要由防电源反接单元和瞬态抑制单元构成的三端子保护器件，所述防电源反接单元包括至少一个二极管D；所述瞬态抑制单元包括至少一个双向TVS瞬态抑制二极管和至少一个单向TVS瞬态抑制二极管。

2.根据权利要求1所述的一种防电源反接防双向浪涌器件，其特征在于，所述二极管D为一个，双向TVS瞬态抑制二极管为一个，单向TVS瞬态抑制二极管为一个。

3.根据权利要求1或2所述的一种防电源反接防双向浪涌器件，其特征在于，所述二极管D的阳极与双向TVS瞬态抑制二极管的一端相连，构成第一主端子T1；二极管D的阴极与双向TVS瞬态抑制二极管的另一端相连并与单向TVS瞬态抑制二极管的阴极端相连构成第三主端子T3；单向TVS瞬态抑制二极管的阳极端为第二主端子T2。

4.根据权利要求1或2所述的一种防电源反接防双向浪涌器件，其特征在于，所述二极管D包括：n型半导体衬底，形成于n型半导体衬底中的p型接触区，形成于n型半导体衬底中的n型接触区；所述二极管D还包括形成于p型接触区及n型接触区中的金属电极，两个金属电极分别构成第一主端子T1、第三主端子T3的一部分。

5.根据权利要求4所述的一种防电源反接防双向浪涌器件，其特征在于，所述p型接触区为p型掺杂的半导体区域或肖特基势垒区域。

6.根据权利要求4所述的一种防电源反接防双向浪涌器件，其特征在于，所述双向TVS瞬态抑制二极管包括：n型半导体衬底，形成于n型半导体衬底中的p阱，形成于p阱中的n阱以及形成于n阱中的两块p型半导体区域；所述双向TVS瞬态抑制二极管还包括形成于两块p型半导体区域中的两个金属电极，两个电极分别构成第一主端子T1、第三主端子T3的一部分。

7.根据权利要求4所述的一种防电源反接防双向浪涌器件，其特征在于，所述单向TVS瞬态抑制二极管包括：n型半导体衬底；形成于n型半导体衬底另一面中的n阱，形成于n阱中p型半导体区域以及形成于p型半导体区域中的金属电极，该电极构成第二主端子T2。

8.根据权利要求4所述的一种防电源反接防双向浪涌器件，其特征在于，所述双向TVS瞬态抑制二极管和单向TVS瞬态抑制二极管的基底为n型衬底或p型衬底。

9.根据权利要求1或2所述的一种防电源反接防双向浪涌器件，其特征在于，所述二极管D、双向TVS瞬态抑制二极管和单向TVS瞬态抑制二极管的基底为硅、锗硅、砷化镓、碳化硅或氮化镓。