[发明专利]一种双面超导薄膜开关在审
| 申请号： | 201710176278.8 | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN106876573A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 董亮;廖骁勇;王豫;梁乐 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H01L39/16 | 分类号： | H01L39/16;H01L39/10;H01L39/08 |
| 代理公司： | 成都信博专利代理有限责任公司51200 | 代理人： | 王沙沙 |
| 地址： | 610031 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双面 超导 薄膜开关 | ||
【权利要求书】：
1.一种双面超导薄膜开关，其特征在于：包括从上到下排布的上超导层(3)、基底层(1)和下超导层(6)；上超导层(3)和下超导层(6)中的其中一层与超导磁体(11)并联后连接主回路，另一层连接触发回路。
2.根据权利要求1所述的一种双面超导薄膜开关，其特征在于：所述上超导层(3)和下超导层(6)均采用YBCO超导薄膜。
3.根据权利要求1所述的一种双面超导薄膜开关，其特征在于：所述上超导层(3)与基底层(1)之间设置有上缓冲层(2)。
4.根据权利要求1所述的一种双面超导薄膜开关，其特征在于：所述下超导层(6)与基底层(1)之间设置有下缓冲层(5)。
5.根据权利要求1所述的一种双面超导薄膜开关，其特征在于：所述上超导层(3)靠近基底层(1)一侧设置有上缓冲层(2)，远离基底层一侧设置有上金属层(4)；下超导层(3)靠近基底层(1)一侧设置有下缓冲层(5)，远离基底层(1)一侧设置有下金属层(7)。
6.根据权利要求1所述的一种双面超导薄膜开关，其特征在于：所述基底层(1)采用氧化铝或氧化镁。
7.根据权利要去5所述的一种双面超导薄膜开关，其特征在于：所述上缓冲层(2)和下缓冲层(5)采用氧化铈。
8.根据权利要求5所述的一种双面超导薄膜开关，其特征在于：所述上金属层(4)和下金属层(7)均采用铜、金、银、镀金金属或镀银金属中的一种。
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