[发明专利]一种水平方向对称的高阶超模方向耦合波导探测器

权利要求书

1.一种水平方向对称的高阶超模方向耦合波导探测器，其特征在于，包括从下往上依次设置的衬底层(1)、波导层(2)、吸收层(3)以及覆盖层(4)；

所述波导层(2)由左波导(21)、中波导(22)和右波导(23)并排构成，左波导(21)和右波导(23)结构相同且呈水平对称分布设置；所述中波导(22)的表面中心位置有一入射光区域(5)，光由入射光区域(5)入射进波导层(2)，在波导层(2)内向前传播的同时被吸收层(3)吸收；

所述吸收层(3)包括第一吸收层(31)和第二吸收层(32)，第一吸收层(31)放置于左波导(21)上，第二吸收层(32)放置于右波导(23)上；

所述覆盖层(4)包括第一覆盖层(41)和第二覆盖层(42)，第一覆盖层(41)覆盖于第一吸收层(31)顶上，第二覆盖层(42)覆盖于第二吸收层(32)顶上。

2.根据权利要求1所述的高阶超模方向耦合波导探测器，其特征在于，所述衬底层(1)的材料为InP，折射率为3.14。

3.根据权利要求1所述的高阶超模方向耦合波导探测器，其特征在于，所述波导层(2)的材料为InGaAsP，折射率为3.3，厚度为5μm。

4.根据权利要求1所述的高阶超模方向耦合波导探测器，其特征在于，所述吸收层(3)的材料为InGaAs，折射率为3.56-0.1i，厚度为0.12μm。

5.根据权利要求1所述的高阶超模方向耦合波导探测器，其特征在于，所述覆盖层(4)的材料为InP，厚度为0.8μm。

6.根据权利要求1所述的高阶超模方向耦合波导探测器，其特征在于，所述左波导(21)、中波导(22)和右波导(23)的宽度均为5μm，波导层(2)的总宽度为15μm。

7.根据权利要求1-6任一所述的高阶超模方向耦合波导探测器，其特征在于，所述波导层(2)底端与衬底层(1)接触的部位设置有覆盖过渡层(6)，用于限制光功率泄漏到空气中，降低能量损耗。

8.根据权利要求7所述的高阶超模方向耦合波导探测器，其特征在于，所述覆盖过渡层(6)的厚度为0.5μm。