[发明专利]半导体装置的形成方法

说明书

一种半导体装置的形成方法，包括蚀刻一介电层以形成一开口，经由上述开口使晶体管的组件暴露。形成一间隔层，其包括水平部分位于开口底部及垂直部分于开口中。此垂直部分位于介电层的侧壁。对上述间隔层进行一各向同性蚀刻以移除其水平部分，且其垂直部分于各向同性蚀刻之后仍残留。此残留的垂直部分形成一接触插塞间隔物。一导电材料被填充至上述开口以形成一接触插塞。

技术领域

本发明的实施例涉及一种半导体装置的形成方法，且特别涉及一种侧壁间隔物的形成方法。

背景技术

在制造集成电路的工艺中，侧壁间隔物被广泛地应用于区隔某些图案特征，例如将导电图案特征与其他图案特征区隔。此侧壁间隔物为垂直构造，其垂直尺寸大于其水平尺寸。侧壁间隔物的制造方法通常包括形成一毯覆间隔层，进行一各向异性蚀刻以移除毯覆间隔层的水平部分。上述残余的垂直部分即可作为侧壁间隔物。

发明内容

本发明的实施例包括一种半导体装置的形成方法，包括蚀刻一介电层以形成一开口，其中经由上述开口而暴露一晶体管的一组件。形成一间隔层，包括：一水平部分位于上述开口底部；以及一垂直部分位于上述开口中，其中上述垂直部分位于前述介电层的侧壁。对上述间隔层进行一各向同性蚀刻以移除其水平部分，且其垂直部分在进行上述各向同性蚀刻之后依然残留，且此残留的垂直部分形成一接触插塞间隔物。填充一导电材料至上述开口以形成一接触插塞。

本发明的实施例还包括一种半导体装置的形成方法，包括蚀刻一介电层以形成一开口，其中经由上述开口而暴露一晶体管的一组件。形成一间隔层，包括多个循环，且上述的多个循环的每一循环包括：沉积上述间隔层的一子层，及对上述子层进行轰击使上述子层的水平部分松散，其中此水平部分位于开口底部。移除经由多个循环所形成之上述子层之上述水平部分；及填充一导电材料至上述开口以形成一接触插塞，其中上述间隔层之上述垂直部分环绕上述接触插塞。

本发明的实施例另包括一种半导体装置的形成方法，包括形成一层间介电层以覆盖一栅极堆叠。对上述层间介电层进行蚀刻以形成一源极/漏极接触开口。经由上述源极/漏极接触开口植入一半导体物质以形成一源极/漏极区。形成一毯覆间隔层以延伸进入上述源极/漏极接触开口。对上述毯覆间隔层进行一各向同性蚀刻以移除一部分位于上述源极/漏极接触开口之上述毯覆间隔层，且此源极/漏极接触开口之上述毯覆间隔层的一残余部分形成一接触插塞间隔物。填充一导电材料至上述源极/漏极接触开口以形成一源极/漏极接触插塞，其中上述源极/漏极接触插塞被上述接触插塞间隔物环绕。

附图说明

以下将配合附图详述本发明的实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本发明的特征。

图1A-图14为根据一些实施例绘示出晶体管形成过程的剖面图。

图15-图22为根据一些实施例绘示出晶体管形成过程的剖面图。

图23为根据本发明的一些实施例的晶体管性能数据与使用常用方法的晶体管的性能数据，所绘示出的比较图。

图24为根据一些实施例，绘示出晶体管形成过程的流程图。

其中，附图标记说明如下：

10～晶片

20～基板

24～栅极介电层

26、26A、26B、26C～栅极堆叠

28～栅极电极

30～栅极间隔物

31～硬掩模

32～浅沟槽隔离区

34～接触蚀刻停止层

36～层间介电层