[发明专利]含异质元素的聚碳硅烷及其制备方法在审
| 申请号： | 201710178651.3 | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108623812A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 王谋华;程勇;周路路;吴永龙;张文发;刘伟华;张文礼 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海应用物理研究所 |
| 主分类号： | C08G77/60 | 分类号： | C08G77/60 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;尹若元 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 异质元素 聚碳硅烷 制备 分子量分布 反应设备 反应条件 辐照处理 混合物 产率 可控 陶瓷 升华 应用 | ||
1.一种含异质元素的聚碳硅烷的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：将含异质元素的化合物与聚碳硅烷的混合物进行辐照处理，得产物，即可。
2.如权利要求1所述的含异质元素的聚碳硅烷的制备方法，其特征在于，所述的聚碳硅烷的分子量为300～5000。
3.如权利要求1所述的含异质元素的聚碳硅烷的制备方法，其特征在于，所述的异质元素为硼、铝、锆、钛、铁、铌、钽、铪、钼、锑、钇中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的含异质元素的聚碳硅烷的制备方法，其特征在于，所述的含异质元素的化合物为络合物、螯合物、卤化物、氧化物、酯化物中的一种或多种；较佳地，所述的络合物为乙酰丙酮金属络合物、所述的螯合物为二茂化合物、所述的卤化物为氯化物；更佳地，所述的含异质元素的化合物为乙酰丙酮铝、乙酰丙酮锆、钛酸四丁酯、异丙醇铝、五氯化铌、乙酰丙酮铁、五氯化钽和二茂铁中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的含异质元素的聚碳硅烷的制备方法，其特征在于，所述的含异质元素的化合物与所述的聚碳硅烷的质量比为1：(1～100)。
6.如权利要求1所述的含异质元素的聚碳硅烷的制备方法，其特征在于，所述的辐照处理的过程中，所述的混合物的吸收剂量为100kGy～3000kGy；所述的辐照处理的辐照源为电子束或γ射线；当所述的辐照源为γ射线时，所述的辐照处理的剂量率为0.1～20kGy/h，较佳地为1～20kGy/h，更佳地为1kGy/h、3kGy/h、5kGy/h、10kGy/h或20kGy/h；当所述的辐照源为电子束时，所述的辐照处理的剂量率为0.01～10kGy/s，较佳地为0.1～5kGy/s，更佳地为0.1kGy/s、1kGy/s、2.5kGy/s或5kGy/s。
7.如权利要求1所述的含异质元素的聚碳硅烷的制备方法，其特征在于，所述的混合物中还包括溶剂，所述的溶剂较佳地为二甲苯。
8.如权利要求1所述的含异质元素的聚碳硅烷的制备方法，其特征在于，所述的辐照处理的温度为15～25℃；
和/或，所述的辐照处理的气氛为真空、惰性气氛或空气气氛，较佳地，所述的惰性气氛的惰性气体为氮气、氩气和氦气中的一种或多种。
9.如权利要求1所述的含异质元素的聚碳硅烷的制备方法，其特征在于，在得到产物后，所述的产物还进行纯化处理，所述的纯化处理的步骤为：将产物用二甲苯溶解、过滤，滤液在200℃下减压蒸馏、冷却，即可。
10.如权利要求1～9任一项所述的含异质元素的聚碳硅烷的制备方法制得的含异质元素的聚碳硅烷。
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