[发明专利]基板晶片以及Ⅲ族氮化物半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种由一六方晶系单晶材料所构成的基板晶片，且该六方晶系单晶材料包含一c轴晶面、一a轴晶面、及一m轴方向，该基板晶片包含：

上表面，包含该c轴晶面构成的一c轴平面；

第一侧边，与该上表面连接，且自垂直于该c轴平面方向观之，该第一侧边实质为一弧线，并具有一曲率中心；以及

第二侧边，与该第一侧边连接；

其中，该a轴晶面与该m轴方向平行；

其中，该第二侧边与该曲率中心具有一最短距离构成的一线段，而该线段与该m轴方向不垂直。

2.一种由一六方晶系单晶材料所构成的基板晶片，且该六方晶系单晶材料包含一c轴晶面、一a轴晶面、及一m轴方向，该基板晶片包含：

上表面，包含该c轴晶面构成的一c轴平面；

第一侧边，与该上表面连接，且自垂直于该c轴平面方向观之，该第一侧边实质为一弧线；以及

第二侧边，与该第一侧边连接，且自垂直于该c轴平面方向观之，该第二侧边实质为一直线；

其中，该a轴晶面与该m轴方向平行；

其中，该第二侧边与该m轴方向不平行。

3.一种外延晶片，包含：

如权利要求2所述的基板晶片；以及

多个Ⅲ族氮化物半导体单元，设置于该上表面上。

4.如权利要求2所述的基板晶片或权利要求3所述的外延晶片，该第二侧边与该m轴方向的夹角介于5度～20度或40～50度。

5.如权利要求2所述的基板晶片或权利要求3所述的外延晶片，其中，该六方晶系单晶材料为蓝宝石。

6.如权利要求2所述的基板晶片或权利要求3所述的外延晶片，该上表面还包含多个规则排列的凸部结构。

7.如权利要求6所述的基板晶片或外延晶片，其中，自垂直于该c轴平面方向观之，该些多个规则排列的凸部结构分别具有一个外轮廓图案，且该些外轮廓图案分别具有一个几何中心点，连接该些几何中心点其中六个实质上可构成一个想象的正六边形，而该想象的正六边形的各边均不平行或垂直于该第二侧边。

8.如权利要求3所述的外延晶片，还包含多条彼此相互平行的第一方向切割道及多条彼此相互平行的第二方向切割道，分隔该些Ⅲ族氮化物半导体单元。

9.如权利要求8所述的外延晶片，其中该些第一方向切割道或该些第二方向切割道平行于该第一侧边。

10.一种Ⅲ族氮化物半导体元件的制作方法，包含：

提供一个如权利要求1所述的基板晶片；

形成多个Ⅲ族氮化物半导体单元于该基板晶片上；以及

分割该些Ⅲ族氮化物半导体单元以形成多个Ⅲ族氮化物半导体元件。

11.如权利要求10所述的Ⅲ族氮化物半导体元件的制作方法，还包含蚀刻该上表面以形成多个规则排列的凸部结构。

12.如权利要求11所述的Ⅲ族氮化物半导体元件的制作方法，其中，自垂直于该c轴平面方向观之，该些多个规则排列的凸部结构分别具有一个外轮廓图案，且该些外轮廓图案分别具有一个几何中心点，连接该些几何中心点其中六个实质上可构成一个想象的正六边形，而该想象的正六边形的各边均不平行或垂直于该第二侧边。

13.如权利要求10、11、或12所述的Ⅲ族氮化物半导体元件的制作方法，还包含形成多条彼此相互平行的第一方向切割道及多条彼此相互平行的第二方向切割道。

14.如权利要求13所述的Ⅲ族氮化物半导体元件的制作方法，其中该些第一方向切割道或该些第二方向切割道平行于该第二侧边。