[发明专利]HEMT器件及其制造方法

权利要求书

1.一种HEMT器件，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底一侧并同层设置的缓冲层和阻挡层；

位于所述阻挡层和缓冲层远离所述衬底一侧的有源层；

位于所述有源层远离所述阻挡层一侧的势垒层；

其中，所述阻挡层包括铟铝镓氮、铝镓氮、铟铝氮、氮化镓和铝氮其中的至少一种材料，所述阻挡层中超过预设厚度的至少一部分的铝摩尔组分沿所述有源层向所述衬底的方向渐变且含有受主杂质；

所述HEMT器件还包括：

分别生长于所述势垒层上的源极和漏极以及位于所述源极与漏极之间的栅极；其中：

所述阻挡层位于所述栅极下方与所述栅极对应设置，使所述栅极与所述势垒层接触的部分在所述阻挡层上的投影位于所述阻挡层两侧边界之内。

2.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述缓冲层包括分别位于所述阻挡层相对两侧的第一部分和第二部分。

3.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述缓冲层位于所述阻挡层靠近所述源极的一侧。

4.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述缓冲层位于所述阻挡层靠近所述漏极的一侧。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的HEMT器件，其特征在于，所述阻挡层的厚度在30nm到3000nm之间，所述预设厚度大于或等于30nm。

6.根据权利要求1-4任意一项所述的HEMT器件，其特征在于，所述受主杂质为P型杂质，所述P型杂质的浓度在1×10¹⁷cm^-3到1×10²¹cm^-3之间。

7.根据权利要求6所述的HEMT器件，其特征在于，所述P型杂质为镁。

8.根据权利要求7所述的HEMT器件，其特征在于，所述镁的浓度为1×10¹⁹cm^-3。

9.根据权利要求1-4任意一项所述的HEMT器件，其特征在于，所述超过预设厚度的至少一部分的铝摩尔组分沿所述有源层向所述衬底的方向逐渐增加，且在0到40％之间变化。

10.一种HEMT器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底；

在衬底一侧形成缓冲层和阻挡层，缓冲层和阻挡层同层设置；

在位于阻挡层和缓冲层远离衬底的一侧形成有源层；

在位于有源层远离阻挡层的一侧形成势垒层；

其中，所述阻挡层包括铟铝镓氮、铝镓氮、铟铝氮、氮化镓和铝氮其中的至少一种材料，所述阻挡层中超过预设厚度的至少一部分的铝摩尔组分沿所述有源层向所述衬底的方向渐变且含有受主杂质，所述缓冲层包括分别位于所述阻挡层相对两侧的第一部分和第二部分、或所述缓冲层位于所述阻挡层靠近源极的一侧、或所述缓冲层位于所述阻挡层靠近漏极的一侧。

11.根据权利要求10所述的HEMT器件的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述势垒层上形成源极和漏极及位于所述源极与漏极之间的栅极，使得所述栅极与所述势垒层接触的部分在所述阻挡层上的投影位于所述阻挡层两侧边界之内。