[发明专利]一种应用于3T磁共振射频线圈的超材料结构在审
| 申请号： | 201710181844.4 | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN106877001A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 李烨;罗超;李柔;胡小情;刘新 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人： | 李献忠,张静 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 磁共振 射频 线圈 材料 结构 | ||
1.一种应用于3T磁共振射频线圈的超材料结构，其包括绕线和绝缘层，其特征在于：所述绕线是螺旋形的，且分布在所述绝缘层的正反两面。
2.根据权利要求1所述的应用于3T磁共振射频线圈的超材料结构，其特征在于：所述绕线是铜绕线。
3.根据权利要求2所述的应用于3T磁共振射频线圈的超材料结构，所述铜绕线是两个，且分布在所述绝缘层的正反两面，形成以所述绝缘层的厚度为间距的平行电容器。
4.根据权利要求2所述的应用于3T磁共振射频线圈的超材料结构，其特征在于：所述铜绕线是双面方形铜绕线。
5.根据权利要求4所述的应用于3T磁共振射频线圈的超材料结构，其特征在于：所述超材料结构为超材料单元结构的周期性结构，所述超材料单元结构的尺寸介于14mm和16mm之间，所述铜绕线的厚度介于0.05mm和0.10mm之间，所述铜绕线的圈数在正反面均介于5圈和10圈之间，所述铜绕线的线宽介于0.4mm和0.6mm之间，所述铜绕线的线间距介于0.08mm和0.12mm之间。
6.根据权利要求5所述的应用于3T磁共振射频线圈的超材料结构，其特征在于：所述铜绕线的边缘距离所述超材料单元结构的边界介于0.08mm和0.12mm之间，所述绝缘层的厚度介于0.30mm和0.50mm之间。
7.根据权利要求6所述的应用于3T磁共振射频线圈的超材料结构，其特征在于：所述超材料单元结构的尺寸为15mm，所述铜绕线的厚度为0.07mm，所述铜绕线的圈数为7圈，所述铜绕线的线宽为0.5mm，所述铜绕线的线间距为0.10mm。
8.根据权利要求7所述的应用于3T磁共振射频线圈的超材料结构，其特征在于：所述铜绕线的边缘距离所述超材料单元结构的边界为0.10mm，所述绝缘层的厚度为0.38mm，所述绝缘层为罗杰斯板材，型号为RT5880。
9.根据权利要求5-8中任一项所述的应用于3T磁共振射频线圈的超材料结构，其特征在于：所述超材料单元结构的谐振频率f由电容C和电感L共同决定，且
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