[发明专利]以SRAM为基础的认证电路在审

专利信息
申请号: 201710182525.5 申请日: 2017-03-24
公开(公告)号: CN107229881A 公开(公告)日: 2017-10-03
发明(设计)人: 吕士濂 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G06F21/72 分类号: G06F21/72;G06F21/79
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 代理人: 路勇
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: sram 基础 认证 电路
【说明书】:

技术领域

本揭露涉及一种以SRAM为基础的认证电路。

背景技术

随着利用集成电路的电子装置的使用增加以提供不同形式的信息于多种不同的应用,越来越需要适当保护可存储于电子装置内的敏感/或关键信息,限制仅具有许可存取所述信息的其它装置可存取此类信息。一些应用范例包含装置的认证、保护装置内的机密信息、以及保护二或多个装置之间的通讯。

物理不可复制功能(physically unclonable function,PUF)通常为位于集成电路内的物理结构,响应于传到所述PUF的输入(例如挑战/请求)而提供一些对应的输出(例如响应)。通过建立辨识,可在装置之间提供安全通讯。PUF还可用于现有的认证目的,以取代分配身分到电子装置的现有方法。由于PUF基于制造过程的固有性质,因而PUF具有优于习知认证方式的各种优点,习知认证方式将身分刻写在装置上,容易被模仿及/或更容易逆向工程(reverse engineered)。

发明内容

本揭露的一些实施例提供一种认证电路,耦合到包含多个位的存储器装置,所述认证电路包括监视引擎,耦合到所述存储器电路的所述多个位,并且经配置以提供第一数据式样到所述多个位,因而使得所述多个位中的每一个于第一数据状态中,响应于施加于所述多个位上的第一下降电压而检测每一个位是否发生由所述第一数据状态转变为第二数据状态,提供第二数据式样于到所述多个位,因而使得所述多个位中的每一个于所述第二数据状态中,以及响应于施加于所述多个位的第二下降电压而检测每一个位是否发生由所述第二数据状态转变为第一数据状态,其中所述第一数据状态不同于所述第二数据状态;物理不可复制功能(PUF)控制器,耦合到所述存储器装置的所述多个位与所述监视引擎,并且经配置以基于每一个位的所述转变而产生PUF特征码。

附图说明

为协助读者达到最佳理解效果,建议在阅读本揭露时同时参考附件图示及其详细文字叙述说明。请注意为遵循业界标准作法,本专利说明书中的图式不一定按照正确的比例绘制。在某些图式中,尺寸可能刻意放大或缩小,以协助读者清楚了解其中的讨论内容。

图1根据一些实施例说明包含认证电路的存储器装置的例示框图。

图2根据一些实施例说明图1的存储器装置的静态随机存取存储器(SRAM)块的例示框图。

图3根据一些实施例说明图1的存储器装置的数据库的例示图式。

图4根据一些实施例说明图1的存储器装置的数据库的例示图式。

图5根据一些实施例说明图1的存储器装置的数据库的例示图式。

图6根据一些实施例说明图1的存储器装置的数据库的例示图式。

图7为例示流程图,根据一些实施例说明产生物理不可复制供功能(PUF)特征码(signature)于图1的SRAM块。

具体实施方式

本揭露提供了数个不同的实施方法或实施例,可用于实现本发明的不同特征。为简化说明起见,本揭露也同时描述了特定零组件与布置的范例。请注意提供这些特定范例的目的仅在于示范,而非予以任何限制。举例来说,可理解当称元件为“连接到”或“耦合到”另一元件,其可直接连接或耦合到另一元件,或是可存在一或多个中间元件。

物理不可复制功能(physically unclonable function,PUF)通常用于认证与机密钥匙存储,不需要安全的电子式可擦除可编程只读存储器(electrically erasable programmable read-only memory,EEPROM)及/或其它昂贵硬件(例如电池支持的静态随机存取存储器)。取代存储机密于数字存储器中,PUF从集成电路(IC)的物理特性取得机密。PUF基于一个想法,即使使用相同制造过程,制造多个IC,然而,每一个IC仍可能因制造差异而有些微不同。PUF利用这差异得到“机密(secret)”信息,这对于每一个IC来说是独特的(例如硅“生物特征”)。通常,此机密信息指IC的特征码(signature)。此外,由于制造差异定义所述特征码,因而即使充分认识所述IC设计,也无法制造两个相同的IC。IC的各种形式的差异可作为定义此特征码,例如门延迟、阈值电压、静态随机存取存储器(SRAM)装置的开机状态、以及/或IC的各种物理特性中的任一者。

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