[发明专利]一种固态光源的制备方法和固态光源

权利要求书

1.一种固态光源的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板表面沉积氮化镓形成氮化镓缓冲层；

在所述氮化镓缓冲层上沉积合金，通过构图工艺制备固定线宽的电极，形成N型电极层；

在所述N型电极层上沉积N型氮化镓形成N型氮化镓层；

在所述N型氮化镓层上沉积铟氮化镓形成量子阱层；

对所述量子阱层的不同区域掺杂不同的杂质；

在所述量子阱层上沉积P型氮化镓形成P型氮化镓层；

将所述N型氮化镓层、量子阱层、P型氮化镓层通过构图工艺形成与N型电极同宽的基色芯片；

在所述P型氮化镓层上沉积合金，通过构图工艺制备与N型电极同宽的电极，形成P型电极层；

使用填充介质填充相邻的两个基色芯片之间的间隙并覆盖P型电极层；

在填充介质上沉积发光反射层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述量子阱层的不同区域掺杂不同的杂质包括：

对G基色芯片区域掺杂磷、砷中任一种杂质；

对B基色芯片区域掺杂硅、碳或铝中任一种杂质。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对G基色芯片区域掺杂磷、砷中任一种杂质包括：

采用光刻胶遮盖所述G基色芯片区域之外的铟氮化镓；

对裸露的铟氮化镓掺杂磷、砷中任一种杂质；

去除光刻胶。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，R基色芯片区域为无掺杂的本征发光区域。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述N型氮化镓层、量子阱层、P型氮化镓层通过构图工艺形成与N型电极同宽的基色芯片包括：

采用干法刻蚀工艺刻蚀P型氮化镓、铟氮化镓、N型氮化镓，其中刻蚀后的P型氮化镓、铟氮化镓、N型氮化镓均与N型电极同宽。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过构图工艺制备与N型电极同宽的电极，形成P型电极层包括：

采用湿法刻蚀工艺刻蚀合金形成P型电极，其中刻蚀后的P型电极与N型电极同宽。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在基板表面沉积氮化镓形成氮化镓缓冲层之前，所述方法还包括：

翻转基板，用于将所述固态光源制备在基板反面。

8.一种固态光源，其特征在于，包括：N型电极层、N型氮化镓层、量子阱层、P型氮化镓层、P型电极层；

其中，所述N型电极层、N型氮化镓层、量子阱层、P型氮化镓层、P型电极层从基板表面向上依次叠加，并具有相同的线宽；所述量子阱层的不同区域掺杂有不同的杂质。

9.根据权利要求8所述固态光源，其特征在于，还包括：氮化镓缓冲层、发光反射层、填充介质；

所述氮化镓缓冲层设置在基板与N型电极层之间，覆盖整个基板表面；

所述填充介质包括填充在相邻的两个基色芯片之间的部分和覆盖在所述P型电极层上的部分；

所述发光反射层设置在所述填充介质上，覆盖整个基板。

10.根据权利要求9所述的固态光源，其特征在于，所述填充介质为酚醛树脂；

所述发光反射层的材料为钛钯合金。

11.根据权利要求8所述的固态光源，其特征在于，所述N型氮化镓层的材料为掺杂硅的氮化镓，所述P型氮化镓层的材料为掺杂镁的氮化镓。

12.根据权利要求8所述的固态光源，其特征在于，所述N型电极层和P型电极层的材料为镍银合金。

13.根据权利要求9所述的固态光源，其特征在于，所述氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、P型氮化镓层的厚度均为

所述N型电极层和P型电极层的厚度均为

所述量子阱层的厚度为

所述发光反射层的厚度为

14.根据权利要求8所述的固态光源，其特征在于，所述N型电极层的线宽为3-10μm。