[发明专利]切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201710183427.3 | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN107227123A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 大西谦司;宍户雄一郎;木村雄大;福井章洋;杉村敏正 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;C09J133/00;C09J163/00;C09J175/14;C08G18/62;C09J11/08;C09J11/04;H01L21/683;C08F220/18;C08F8/30 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 切割 芯片 接合 薄膜 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种切割芯片接合薄膜，其特征在于，具有：
切割片；和
层叠在所述切割片上的芯片接合薄膜，
所述切割片与所述芯片接合薄膜的23℃下的剥离力A在下述剥离力A的测定条件下处于0.1N/20mm以上且0.25N/20mm以下的范围内，
所述切割片与所述芯片接合薄膜的-15℃下的剥离力B在下述剥离力B的测定条件下处于0.15N/20mm以上且0.5N/20mm以下的范围内，
所述芯片接合薄膜是通过施加拉伸张力而断裂来使用的，
＜剥离力A的测定条件＞
T型剥离试验
剥离速度300mm/分钟
＜剥离力B的测定条件＞
T型剥离试验
剥离速度300mm/分钟。
2.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：
工序A，在切割芯片接合薄膜上贴合半导体晶圆；
工序B，在0℃以下的条件下，扩展所述切割芯片接合薄膜，至少使所述芯片接合薄膜断裂，得到带芯片接合薄膜的芯片；和
工序C，拾取所述带芯片接合薄膜的芯片，
所述切割芯片接合薄膜具有：
切割片；和
层叠在所述切割片上的芯片接合薄膜，
所述切割片与所述芯片接合薄膜的23℃下的剥离力A在下述剥离力A的测定条件下处于0.1N/20mm以上且0.25N/20mm以下的范围内，
所述切割片与所述芯片接合薄膜的-15℃下的剥离力B在下述剥离力B的测定条件下处于0.15N/20mm以上且0.5N/20mm以下的范围内，
＜剥离力A的测定条件＞
T型剥离试验
剥离速度300mm/分钟
＜剥离力B的测定条件＞
T型剥离试验
剥离速度300mm/分钟。
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