[发明专利]具有阶梯形屏蔽槽耐压结构及双漏极结构的SOI高压器件在审
申请号: | 201710185811.7 | 申请日: | 2017-03-26 |
公开(公告)号: | CN108630753A | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
发明(设计)人: | 沈立 | 申请(专利权)人: | 上海卓弘微系统科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/06;H01L29/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201399 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 屏蔽槽 横向击穿电压 高压器件 耐压 场效应管器件 氧化物半导体 场板技术 高压金属 纵向耐压 耗尽区 漏电极 双漏极 场层 漏区 埋层 梯状 | ||
1.一种具有阶梯形屏蔽槽耐压结构以及具有双漏极结构的SOI高压双扩散金属氧化物半导体场效应管器件,器件的横向耐压仍使用场板技术、表面P降场层的双RESURF技术来解决;其特征是:此器件具有双漏电极,增加了耗尽区与漏区的面积,减弱了横向电常,提高了横向击穿电压;对于器件的纵向耐压,器件是通过在Si和埋层Si02界面上形成了阶梯形的屏蔽槽的结构来解决。
2.如权利要求1所述的一种具有阶梯形屏蔽槽耐压结构以及具有双漏极结构的SOI高压器件,其特征在于,阶梯形屏蔽槽结构位于漏区下方。
3.如权利要求1所述的一种具有阶梯形屏蔽槽耐压结构以及具有双漏极结构的SOI高压器件,其特征在于,阶梯形屏蔽槽结构越靠近漏区其高度越高。
4.如权利要求1所述的一种具有阶梯形屏蔽槽耐压结构以及具有双漏极结构的SOI高压器件,其特征在于,在左右两个漏区下方存在有对称的屏蔽槽结构。
5.如权利要求1所述的一种具有阶梯形屏蔽槽耐压结构以及具有双漏极结构的SOI高压器件,其特征在于,屏蔽槽之间的距离是均匀的。
6.如权利要求1所述的一种具有阶梯形屏蔽槽耐压结构以及具有双漏极结构的SOI高压器件,其特征在于,该器件具有两个漏极。
7.如权利要求1所述的一种具有阶梯形屏蔽槽耐压结构以及具有双漏极结构的SOI高压器件,其特征在于,该器件两个漏极对称分布。
8.如权利要求6和7所述的两个对称的双漏极结构,其特征在于,双漏极位于金属氧化物场效应管的两端。
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