[发明专利]半导体芯片热阻在片测试装置及方法在审

专利信息
申请号: 201710186428.3 申请日: 2017-03-24
公开(公告)号: CN107037348A 公开(公告)日: 2017-08-11
发明(设计)人: 郭怀新 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 代理人: 柏尚春
地址: 210016 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 半导体 芯片 测试 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体芯片热阻在片测试装置,其特征在于:包括晶圆控制模块、环境温度控制模块、红外光学测量模块、功率控制模块和电路探针模块;

其中,整版半导体芯片的晶圆固定于晶圆控制模块,晶圆控制模块固定于环境温度控制模块;晶圆中的半导体芯片上设置红外光学测量模块;电路探针模块连接晶圆中的半导体芯片与功率控制模块。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片热阻在片测试装置,其特征在于:所述晶圆控制模块包括承载面、沟道、通气孔和固定端;其中,承载面上间隔设置若干环形沟道,沟道连接于通气孔,通气孔连接抽真空系统。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片热阻在片测试装置,其特征在于:所述电路探针模块包括探针头、支撑结构和控制结构;其中,探针头连接晶圆中的半导体芯片;支撑结构连接探针头与控制结构;控制结构连接功率控制模块。

4.一种半导体芯片热阻在片测试方法,其特征在于:具体包括以下步骤:

(1)将整版半导体芯片的晶圆固定于晶圆控制模块,同时将晶圆控制模块固定于环境温度控制模块;

(2)晶圆中的待测半导体芯片上设置红外光学测量模块;利用电路探针模块将晶圆中的半导体芯片与功率控制模块相连;

(3)环境温度控制模块控制测试中的芯片工作参考温度为T0

(4)功率控制模块提供半导体芯片的工作电压及测量半导体芯片的热耗散功率Pdiss,红外光学测量模块测量半导体芯片在特定工作电压下的结温Tmax

(5)计算热阻R:R=(Tmax-T0)/Pdiss

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