[发明专利]半导体器件和半导体装置

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

功率器件；以及

温度检测二极管，

其中，所述半导体器件具有被配置成使所述功率器件的电力线与所述温度检测二极管之间绝缘的器件结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述温度检测二极管形成在与所述功率器件的所述电力线中包括的第一导电型层接触的氧化物膜的上方，

其中，所述器件结构包括具有下述厚度的所述氧化物膜，所述厚度使得所述氧化物膜上方的电场强度等于或低于6MV/cm。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述器件结构进一步包括在所述功率线的所述电力线与所述温度检测二极管之间的环结构。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中，所述温度检测二极管形成在与第一导电型层接触的氧化物膜的上方。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中，所述温度检测二极管形成在硅内部。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述器件结构包括在所述功率器件的所述电力线中包括的第一导电型层，

其中，所述器件结构包括电阻器，所述电阻器在所述第一导电类型层的电极与所述温度检测二极管的阴极电极之间。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中，所述电阻器具有漏电流等于或低于10μA的电阻值。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中，所述电阻器由多晶硅形成。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中，所述温度检测二极管形成在与所述第一导电型层接触的氧化物膜的上方。

10.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中，所述温度检测二极管形成在硅内部。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述温度检测二极管被布置在半导体芯片的端部。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述温度检测二极管被布置在半导体芯片的中央。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述功率器件是IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、二极管、或晶闸管。

14.一种半导体装置，所述半导体装置包括半导体器件、高侧控制电路、低侧控制电路、高侧温度检测电路、低侧温度检测电路和MCU(微控制单元)，

其中，所述半导体器件包括：

功率器件，以及

温度检测二极管，并且

其中，所述半导体器件具有被配置成使所述功率器件的电力线与所述温度检测二极管之间绝缘的器件结构。