[发明专利]半导体结构表面处理方法在审
| 申请号： | 201710188523.7 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN107015445A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 吴珂 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/027;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 表面 处理 方法 | ||
1.一种半导体结构表面处理方法，其特征在于，所述半导体结构表面处理方法包括如下步骤：
提供一半导体结构，所述半导体结构包括薄膜层和位于所述薄膜层表面上待处理的光刻胶；
采用第一等离子体处理方式去除所述待处理的光刻胶；
将去除所述待处理的光刻胶后的半导体结构进行清洁工艺；
采用第二等离子体处理方式处理经过所述清洁工艺后的半导体结构。
2.根据权利要求1所述的半导体结构表面处理方法，其特征在于，所述第一等离子体处理方式的处理气体为氧气。
3.根据权利要求1所述的半导体结构表面处理方法，其特征在于，所述第一等离子体处理方式的工艺条件包括：温度为260℃～290℃。
4.根据权利要求1所述的半导体结构表面处理方法，其特征在于，所述第二等离子体处理方式的处理气体为一氧化二氮和氮气。
5.根据权利要求1所述的半导体结构表面处理方法，其特征在于，所述第二等离子体处理方式的工艺条件包括：温度为350℃～450℃，时间为10s～30s。
6.根据权利要求1所述的半导体结构表面处理方法，其特征在于，所述清洁工艺包括清洗处理和干燥处理。
7.根据权利要求6所述的半导体结构表面处理方法，其特征在于，所述清洗处理包括：
采用含有硫酸和过氧化氢的溶液清洗所述半导体结构的表面；
采用含有氢氧化铵和过氧化氢的溶液清洗所述半导体结构的表面；
所述干燥处理包括：
采用异丙醇溶剂干燥所述半导体结构的表面。
8.根据权利要求1所述的半导体结构表面处理方法，其特征在于，所述薄膜层的材料为氮氧化硅或氮化硅。
9.根据权利要求8所述的半导体结构表面处理方法，其特征在于，材料为氮氧化硅的所述薄膜层的厚度为30nm～40nm；材料为氮化硅的所述薄膜层的厚度为20nm～50nm。
10.根据权利要求1-9中任意一项所述的半导体结构表面处理方法，其特征在于，所述半导体结构表面处理方式还包括：在采用第二等离子体处理方式处理后的半导体结构表面进行涂布光刻胶工艺。
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