[发明专利]减缓晶圆边缘散焦的光刻方法在审
申请号: | 201710188876.7 | 申请日: | 2017-03-27 |
公开(公告)号: | CN107045268A | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | 刘方群;朱治国;郑海昌 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 减缓 边缘 散焦 光刻 方法 | ||
1.一种减缓晶圆边缘散焦的光刻方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一:提供一设置有自动聚焦传感器的光刻机,光刻机光刻时的扫描方向定义为扫描向,在水平面上垂直于扫描向的方向定义为非扫描向,所述自动聚焦传感器沿着非扫描向排列定义为排成行,沿着扫描向排列定义为排成列,增加自动聚焦传感器的列数到至少十一列;其中,所述光刻机中设置有至少七行自动聚焦传感器;
步骤二:晶圆被放置在所述光刻机的工件台上,并被划分为若干个曝光区域,增加的自动聚焦传感器位于所述曝光区域的外围并靠近所述晶圆,在光刻时,分别对每个曝光区域进行曝光,在对位于晶圆边缘的曝光区域曝光时,使用自动聚焦传感器测量该曝光区域的非扫描向水平值;
步骤三:将步骤二得到的该曝光区域的非扫描向水平值补偿至该曝光区域的边缘平坦度中。
2.如权利要求1所述的减缓晶圆边缘散焦的光刻方法,其特征在于,步骤二中在对位于晶圆边缘的曝光区域曝光时,最多使用三列自动聚焦传感器测量该曝光区域的非扫描向水平值。
3.如权利要求2所述的减缓晶圆边缘散焦的光刻方法,其特征在于,步骤二中当晶圆边缘的曝光区域不完整时,根据被曝光的曝光区域的尺寸选择最多三列自动聚焦传感器测量该曝光区域的非扫描向水平值。
4.如权利要求2所述的减缓晶圆边缘散焦的光刻方法,其特征在于,步骤二中当晶圆边缘的曝光区域不完整时,仅使用位于该曝光区域内自动聚焦传感器以及相邻列的自动聚焦传感器进行测量,所述相邻列的自动聚焦传感器位于该曝光区域靠近所述晶圆的一侧。
5.如权利要求1所述的减缓晶圆边缘散焦的光刻方法,其特征在于,步骤二中当晶圆边缘的曝光区域完整时,使用该曝光区域内所有的自动聚焦传感器进行测量。
6.权利要求1所述的减缓晶圆边缘散焦的光刻方法,其特征在于,还包括步骤四:在曝光晶圆边缘的曝光区域时,根据步骤三补偿后得到的该曝光区域的边缘平坦度调整所述工件台。
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