[发明专利]一种大空间使用的负离子发生器有效
申请号: | 201710188904.5 | 申请日: | 2017-03-27 |
公开(公告)号: | CN106684710B | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
发明(设计)人: | 周丰怀 | 申请(专利权)人: | 山东艾尔维特健康科技有限公司 |
主分类号: | H01T23/00 | 分类号: | H01T23/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250000 山东省济南市高新*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 空间 使用 负离子 发生器 | ||
技术领域
本发明涉及电气设备领域,特别是一种工作时能持续释放高浓度小粒径负离子,工作功率大、负离子释放量大、负离子抛射半径长,能满足空间大的区域使用(比如单位办公室、教室)的一种大空间使用的负离子发生器。
背景技术
目前,现有的小型负离子发生器,由于受其构造所限,工作时一般释放大粒径负离子,功率小,负离子释放量小,负离子抛射半径短,主要应用于家庭、汽车等空间小的地方使用,在空间大的区域(比如教室、单位办公室)不能正常使用,不能给空间大的区域提供足够量的负离子;现有的大功率负离子发生器,采用可控硅作为核心部件产生脉冲电流,然后在后续电路作用下向空间释放负离子,可控硅作为核心部件产生脉冲电流最大不足是工作频率低,因而导致后续电路释放负离子时,负离子发射距离近,穿透距离短,而且在工作时易产生高温,导致负离子释放量大幅下降。
发明内容
为了克服现有的小型负离子发生器,由于受其构造所限,工作时释放大粒径负离子,功率小,负离子释放量小,负离子抛射半径短,在空间大的区域不能正常使用,不能给空间大的区域提供足够量的负离子;以及现有的大功率负离子发生器,因采用可控硅作为核心部件产生脉冲电流,可控硅作为核心部件产生脉冲电流工作频率低,导致后续电路释放负离子时,负离子发射距离近,穿透距离短,在工作时易产生高温,导致负离子释放量大幅下降的弊端,本发明提供了一种使用稳压集成控制电路、高频变压器、光耦电压控制电路相互作用,产生高频脉冲,在相关电路作用下使后续电路产生的负离子穿透距离大幅增加,工作功率大、负离子释放量大、负离子抛射半径长,能持续释放高浓度小粒径负离子,能满足空间大的区域使用(比如单位办公室、教室)的一种大空间使用的负离子发生器。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种大空间使用的负离子发生器,其特征在于由桥式整流输入电路、稳压集成控制电路、高频变压器、光耦电压控制电路、多倍整流电路、负离子释放单元、发生器外壳和机体外壳构成,桥式整流输入电路电源输入端和220V交流电源通过导线连接,桥式整流输入电路正极电源输出端和稳压集成控制电路正极电源输入端、高频变压器初级绕组一端通过导线连接,稳压集成控制电路电源输出端和高频变压器初级绕组另一端通过导线连接,高频变压器次级绕组第一个、第二个输出端分别和光耦电压控制电路两个控制电源输入端通过导线连接,高频变压器次级绕组第一个输出端和多倍整流电路第一电源输入端通过导线连接,高频变压器次级绕组第二个输出端和多倍整流电路第二电源输入端通过导线连接,高频变压器次级绕组第三个、第四个输出端分别和光耦电压控制电路信号输入两端通过导线连接,光耦电压控制电路信号输出端和稳压集成控制电路反馈信号输入端通过导线连接,多倍整流电路电源输出端和负离子释放单元一端通过导线连接,桥式整流输入电路负极电源输出端和稳压集成控制电路负极电源输入端、高频变压器次级绕组第四个输出端、光耦电压控制电路负极电源输入端通过导线接地,桥式整流输入电路、稳压集成控制电路、高频变压器、光耦电压控制电路、多倍整流电路、负离子释放单元安装在发生器外壳内部,发生器外壳安装在机体外壳内部。
所述的桥式整流输入电路由硅整流二极管和保险丝、电解电容组成,硅整流二极管有四只,保险丝一端和第一只硅整流二极管负极、第二只硅整流二极管正极通过导线连接,第三只硅整流二极管负极和第四只硅整流二极管正极通过导线连接,第二只硅整流二极管负极和第四只硅整流二极管负极、电解电容正极通过导线连接,第一只硅整流二极管正极和第三只硅整流二极管正极、电解电容负极通过导线接地。
所述的稳压集成控制电路由AC-DC转换开关电路、电解电容、瞬变二极管、电阻和瓷片电容组成稳压集成控制电路,AC-DC转换开关管型号是TOP223YN,电阻一端和瓷片电容一端通过导线连接,电阻另一端和瞬变二极管负极、瓷片电容另一端通过导线连接,瞬变二极管正极和AC-DC转换开关管A1输出端3脚通过导线连接,AC-DC转换开关管的控制端2脚和电解电容正极通过导线连接,AC-DC转换开关管的输入端1脚和电解电容负极第二只瓷片电容一端通过导线接地,第二只瓷片电容另一端和第三只瓷片电容一端通过导线连接,第三只瓷片电容另一端通过导线接地。
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