[发明专利]一种SmCo4B基永磁薄带及其制备方法

权利要求书

1.一种SmCo₄B基永磁薄带，其特征在于：其元素组成式为SmCo_xFe_yCu_zB，该式中符号x、y和z表示限定元素组成范围的原子百分数，限定元素组成范围的符号以原子百分比计满足：x+y+z＝4，x＝2.64～3.24，y＝0.7～1.3，z＝0.02～0.1，该薄带的厚度为39μm～62μm，在室温下其内禀矫顽力为38.7kOe～54.1kOe，剩磁为23.1emu/g～28.1emu/g，饱和磁化强度为24.1emu/g～32.6emu/g。

2.权利要求1所述一种SmCo₄B基永磁薄带的制备方法，其特征在于：采用熔体离心快淬技术，具体步骤如下：

第一步，原料配制：

按照原子百分含量计算出元素组成通式SmCo_xFe_yCu_zB中的组成元素的质量百分比，按该质量百分比称取所需量的组分原料：纯Sm、纯Co、纯Fe、纯Cu和纯B，由此完成原料配制，在上述组成通式中，限定元素组成范围的符号以原子百分比计满足：x+y+z＝4，x＝2.64～3.24，y＝0.7～1.3，z＝0.02～0.1；

第二步，熔化原料制备母合金铸锭：

将第一步配制好的原料同时放入真空电弧熔炼炉或真空感应熔炼炉坩埚中，熔炼时先对炉体抽真空度到10^-2Pa～10^-3Pa，炉温升至高于纯Co的熔点，直至全部原料熔炼均匀，制得SmCo_xFe_yCu_zB母合金铸锭；

第三步，SmCo₄B基快淬薄带的制备：

将第二步制得的SmCo_xFe_yCu_zB母合金铸锭装入熔体快淬炉中，重新熔融后在10m/s～50m/s线速度旋转的冷却铜辊轮或钼辊轮上进行熔体快淬，由此制得SmCo₄B基快淬薄带；

第四步，SmCo₄B基永磁薄带的制备：

将第三步制备的SmCo₄B基快淬薄带装入真空退火炉中，真空度为10^-2Pa～10^-3Pa，在750℃～850℃进行退火处理，保温时间为20min～40min，由此制得SmCo₄B基永磁薄带产品，其元素组成式为SmCo_xFe_yCu_zB，薄带厚度为39μm～62μm，在室温下其内禀矫顽力为38.7kOe～54.1kOe，剩磁为23.1emu/g～28.1emu/g，饱和磁化强度为24.1emu/g～32.6emu/g。

3.根据权利要求2所述一种SmCo₄B基永磁薄带的制备方法，其特征在于：所述第一步原料配制中，按照原子百分含量计算出元素组成通式SmCo_xFe_yCu_zB中的组成元素的质量百分比，在按该质量百分比称取所需量原料纯Sm的基础上，外添加质量百分比为5％～10％的纯Sm，由此完成原料配制。