[发明专利]数据存储设备及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201710189503.1 申请日: 2017-03-27
公开(公告)号: CN107229417B 公开(公告)日: 2022-03-22
发明(设计)人: 尹恩振;张实完 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 李琳
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 数据 存储 设备 及其 操作方法
【权利要求书】:

1.一种数据存储设备,包括:

第一非易失性存储器设备;

第二非易失性存储器设备;以及

管理电路,连接到所述第一非易失性存储器设备和所述第二非易失性存储器设备,

其中,所述管理电路被配置为:

接收外部多访问命令,所述外部多访问命令从所述数据存储设备的外部接收,并且包括第一地址和第二地址、识别用于以后与相应的数据匹配的命令的命令标识符、以及指定命令的类型为单访问命令或多访问命令之一的命令类型指示符,

基于所述外部多访问命令和所述第一地址,生成第一内部访问命令,并且将所述第一内部访问命令和所述第一地址提供给所述第一非易失性存储器设备,以及

基于所述外部多访问命令和所述第二地址,生成第二内部访问命令,并且将所述第二内部访问命令和所述第二地址提供给所述第二非易失性存储器设备。

2.如权利要求1所述的数据存储设备,其中,所述数据存储设备是固态驱动器(SSD)。

3.如权利要求1所述的数据存储设备,其中,所述第一非易失性存储器设备是半导体芯片或半导体封装,以及所述第二非易失性存储器设备是半导体芯片或半导体封装。

4.如权利要求1所述的数据存储设备,其中:

所述多访问命令是多写入命令。

5.如权利要求4所述的数据存储设备,其中:

所述管理电路被配置为,响应于所述外部多访问命令是多写入命令,在将数据写入所述第二非易失性存储器设备的所述第二地址的同时,将数据写入所述第一非易失性存储器设备的所述第一地址。

6.如权利要求4所述的数据存储设备,其中:

所述管理电路包括缓冲器;并且

所述管理电路还被配置为:

接收附加写入数据并将其存储在所述缓冲器中,以及

将存储在所述缓冲器中的所述附加写入数据的第一部分提供给所述第一非易失性存储器设备,以及将存储在所述缓冲器中的所述附加写入数据的第二部分提供给所述第二非易失性存储器设备,而不将存储在所述缓冲器中的所述附加写入数据的第一部分提供给所述第二非易失性存储器设备。

7.如权利要求4所述的数据存储设备,其中:

所述第一非易失性存储器设备和所述第二非易失性存储器设备中的每一个被配置为从主机接收与所述多写入命令相关联的数据,而所述数据不被存储在所述管理电路的缓冲器中。

8.如权利要求4所述的数据存储设备,其中,所述多写入命令包括写入数据,并且所述多写入命令指示所述管理电路将与所述多写入命令相关联的所有写入数据写入所述第一非易失性存储器设备和所述第二非易失性存储器设备两者。

9.如权利要求4所述的数据存储设备,其中,所述多写入命令包括附加写入数据,并且所述多写入命令指示所述管理电路将所述附加写入数据的第一部分写入所述第一非易失性存储器设备,并且将所述附加写入数据的第二部分而不是所述第一部分写入所述第二非易失性存储器设备。

10.如权利要求4所述的数据存储设备,其中:

所述第一地址和第二地址是由主机根据映射表生成的物理地址;以及

所述第一非易失性存储器设备和第二非易失性存储器设备被配置为将数据分别写入与第一物理地址和第二物理地址相对应的位置。

11.如权利要求10所述的数据存储设备,其中:

所述管理电路还被配置为:

接收附加多写入命令作为包括附加写入数据的外部写入命令,并将所述附加写入数据存储在缓冲器中;

生成包括第三物理地址和所述附加写入数据的至少一部分的第一内部写入命令;以及

生成包括第四物理地址和所述附加写入数据的至少一部分的第二内部写入命令。

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