[发明专利]实现更小线宽的光刻工艺有效
| 申请号： | 201710190157.9 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN106933064B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 张煜;郑海昌;朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 实现 更小线宽 光刻 工艺 | ||
1.一种实现更小线宽的光刻工艺，其特征在于，包括：
提供衬底，并在衬底表面沉积氧化硅层和氮化硅层；
在氮化硅层表面涂覆光刻胶；
利用第一光刻机对所述氮化硅层表面进行曝光并形成曝光图形；
刻蚀所述曝光图形，并去除光刻胶；
利用第二光刻机的层间对准技术，并根据所需线宽设置套刻精度偏移量；
根据该套刻精度偏移量在氧化硅层和氮化硅层表面涂覆光刻胶；
对所述曝光图形进行第二次曝光，形成新的曝光图形；
刻蚀新的曝光图形，并去除光刻胶；
去除衬底上的氧化硅层和氮化硅层，形成多晶硅图形。
2.如权利要求1所述的实现更小线宽的光刻工艺，其特征在于，采用扩散工艺在衬底表面沉积氧化硅层和氮化硅层。
3.如权利要求2所述的实现更小线宽的光刻工艺，其特征在于，所述扩散工艺在氧化扩散炉中进行。
4.如权利要求1所述的实现更小线宽的光刻工艺，其特征在于，采用化学气相沉积法在衬底表面沉积氧化硅层和氮化硅层。
5.如权利要求1所述的实现更小线宽的光刻工艺，其特征在于，所述第一光刻机采用I线光刻机或者深亚微米光刻机，所述第二光刻机采用I线光刻机或者深亚微米光刻机。
6.如权利要求5所述的实现更小线宽的光刻工艺，其特征在于，所述深亚微米光刻机为深紫外光刻机。
7.如权利要求1所述的实现更小线宽的光刻工艺，其特征在于，采用湿法去胶机去除光刻胶。
8.如权利要求1所述的实现更小线宽的光刻工艺，其特征在于，采用等离子刻蚀机对曝光图形进行刻蚀。
9.如权利要求1所述的实现更小线宽的光刻工艺，其特征在于，所述套刻精度偏移量提前设定在所述第二光刻机中，该套刻精度偏移量与多晶硅图形的线宽相等。
10.如权利要求1所述的实现更小线宽的光刻工艺，其特征在于，所述氧化硅层和氮化硅层的厚度可根据工艺需求调节。
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