[发明专利]具有可调匹配网络的超低功耗RF接收器前端

权利要求书

1.一种可调匹配电路，包括：

输入端口，用于通过具有寄生电感的电连接接收RF输入信号；

输出端口；

开关电容器电路，连接在所述输入端口和接地之间，所述开关电容器电路具有第一数字控制位输入端口；

开关电阻器电路，连接在所述输入端口和所述输出端口之间，所述开关电阻器电路具有第二数字控制位输入端口；以及

低噪音放大器(LNA)，连接至所述输入端口和所述输出端口，所述低噪音放大器配置为放大所述RF输入信号以形成RF输出信号，其中，所述低噪音放大器配置为在超低功耗模式下运行。

2.根据权利要求1所述的可调匹配电路，其中，所述低噪音放大器包括：

第一晶体管，所述第一晶体管的源极连接至正DC电源，所述第一晶体管是p沟道场效应晶体管(FET)；以及

第二晶体管，所述第二晶体管的漏极与所述第一晶体管的漏极连接，所述第二晶体管的源极连接至所述接地并且是n沟道场效应晶体管，

其中，所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极共享第一共同节点，所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的漏极共享第二共同节点，所述第一共同节点连接至所述输入端口，以及所述第二共同节点连接至所述输出端口。

3.根据权利要求1所述的可调匹配电路，其中，所述开关电容器电路包括：

第一电容器，连接在所述输入端口和所述接地之间；

第一晶体管开关，所述第一晶体管开关的源极连接至所述接地，所述第一晶体管开关的栅极连接至所述第一数字控制位输入端口；以及

第二电容器，连接在所述输入端口和所述第一晶体管开关的漏极之间。

4.根据权利要求3所述的可调匹配电路，其中，所述开关电容器电路还包括：

第二晶体管开关，所述第二晶体管开关的源极连接至所述接地，所述第二晶体管开关的栅极连接至所述第一数字控制位输入端口；以及

电阻器，连接在所述第二晶体管开关的漏极和所述第一晶体管开关的漏极之间并且连接至所述第二电容器的一端。

5.根据权利要求1所述的可调匹配电路，其中，所述开关电阻器电路包括：

第一电阻器，连接在所述输入端口和所述输出端口之间；

晶体管开关和第二电阻器的串联组合，其中，所述晶体管开关的源极连接至所述第二电阻器的一端，所述串联组合连接在所述输入端口和所述输出端口之间，以及其中，所述晶体管开关的栅极连接至所述第二数字控制位输入端口。

6.根据权利要求1所述的可调匹配电路，还包括：

控制器，连接至RF传感器以及连接至所述第一数字控制位输入端口和所述第二数字控制位输入端口，

其中，所述控制器配置为确定所述RF输出信号的功率电平，以及基于确定的所述功率电平来确定第一数字位值和第二数字位值，将所述第一数字位值和所述第二数字位值分别提供至所述第一数字控制位输入端口和所述第二数字控制位输入端口。

7.根据权利要求6所述的可调匹配电路，还包括：

存储器组件，配置为存储至少一个数字控制字，所述数字控制字包括所述第一数字位值和所述第二数字位值。

8.根据权利要求7所述的可调匹配电路，其中，所述控制器还配置为接收运行频率的指示，以及所述存储器组件还被配置为存储所述运行频率的所述指示。

9.根据权利要求1所述的可调匹配电路，其中，所述低噪音放大器包括至少一个p沟道晶体管以及至少一个n沟道晶体管。