[发明专利]用于制备大面积钙钛矿薄膜的脉冲CVD设备

权利要求书

1.一种用于制备大面积钙钛矿薄膜的脉冲CVD设备，其特征是，包括沉积系统和两路原料吹送系统，所述的沉积系统包括至少一个沉积室（1）以及真空泵；

各个所述沉积室（1）的上端分别连接有第一进气管和第二进气管，所述第一进气管和第二进气管上分别设置有第一脉冲阀（41）和第二脉冲阀（42），所述第一进气管与第一路原料吹送系统连接，所述第二进气管与第二路原料吹送系统连接；各个所述沉积室（1）的下端分别连接有排气管，各个排气管分别与真空泵连接，各个排气管上设置有用于控制排气管通断的截止阀（7）；各个所述沉积室（1）内设置有衬底加热器，待加工衬底放置在衬底加热器上。

2.根据权利要求1所述的用于制备大面积钙钛矿薄膜的脉冲CVD设备，其特征是，所述第一路原料吹送系统包括第一载气管路（21）、第一蒸发室（22）、第一压力控制器（24）、第一粉末加料器（23）以及第一辅助载气管路（25），所述第一蒸发室（22）和第一压力控制器（24）分别设置在第一载气管路（21）上，所述第一粉末加料器（23）与第一蒸发室（22）连接，所述第一压力控制器（24）位于第一蒸发室（22）和第一脉冲阀（41）之间，所述第一辅助载气管路（25）连接在第一压力控制器（24）和脉冲阀之间第一载气管路（21）上；所述第一蒸发室（22）上游的第一载气管路（21）上设置有第一气体预热器（26），所述第一辅助载气管路（25）上设置有第二气体预热器（27）；

所述第二路原料吹送系统包括第二载气管路（31）、第二蒸发室（32）、第二压力控制器（34）、第二粉末加料器（33）以及第二辅助载气管路（35），所述第二蒸发室（32）和第二压力控制器（34）分别设置在第二载气管路（31）上，所述第二粉末加料器（33）与第二蒸发室（32）连接，所述第二压力控制器（34）位于第二蒸发室（32）和第二脉冲阀（42）之间，所述第二辅助载气管路（35）连接在第二压力控制器（34）和脉冲阀之间第二载气管路（31）上；所述第二蒸发室（32）上游的第二载气管路（31）上设置有第三气体预热器（36），所述第二辅助载气管路（35）上设置有第四气体预热器（37）。

3.根据权利要求1或2所述的用于制备大面积钙钛矿薄膜的脉冲CVD设备，其特征是，所述第一进气管上设置有第一伴热器（51），所述第二进气管上设置有第二伴热器（52）。

4.根据权利要求1所述的用于制备大面积钙钛矿薄膜的脉冲CVD设备，其特征是，所述沉积室（1）内水平设置有喷孔板（6），所述喷孔板（6）上均布有若干个喷气孔，所述喷孔板（6）将沉积室（1）内腔分隔成匀气腔和沉积腔，所述匀气腔位于沉积腔的上端，所述衬底加热器位于底部的沉积腔内，所述第一进气管和第二进气管分别与匀气腔连通。