[发明专利]一种荧光分析的标准光源有效
申请号: | 201710192361.4 | 申请日: | 2017-03-28 |
公开(公告)号: | CN107064002B | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 王冠中;张文龙;祝巍 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | G01N21/01 | 分类号: | G01N21/01;G01N21/64 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵青朵 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 荧光 分析 标准 光源 | ||
1.一种荧光分析的荧光强度标定的标准光源,其特征在于,包括:具有至少一个色心的材料,所述材料为金刚石。
2.根据权利要求1所述的标准光源,其特征在于,所述标准光源为单光子源。
3.根据权利要求1所述的标准光源,其特征在于,所述标准光源包括两个色心,每个色心存在于不同的材料中。
4.根据权利要求1所述的标准光源,其特征在于,所述材料为纳米尺寸的材料或块状材料。
5.根据权利要求1所述的标准光源,其特征在于,所述色心为天然存在于材料中的色心或经过处理后存在于材料中的色心。
6.根据权利要求5所述的标准光源,其特征在于,所述处理的方法为离子注入法。
7.根据权利要求6所述的标准光源,其特征在于,所述离子注入法之前还包括一级处理;所述一级处理包括光刻工艺、等离子体刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。
8.根据权利要求6或7所述的标准光源,其特征在于,所述离子注入法之后还包括二级处理,所述二级处理包括超声清洗和旋涂的整体处理、高温退火工艺、高温氧化工艺、等离子体刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。
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