[发明专利]一种低介电损耗氧化铝陶瓷材料在审
| 申请号： | 201710192403.4 | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN106938920A | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李蔚;胡家驹;程玉晶 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200237 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低介电 损耗 氧化铝 陶瓷材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种低介电损耗Al2O3陶瓷材料及其制造方法，其特征在于：
以高纯氧化铝粉（氧化铝含量>99.95%）为主料，加入加上适量的CaTiO3 掺杂剂。
2.将步骤（1）中的主料与掺杂剂在球磨机中加水球磨，干燥后过筛得到混合干粉：
将步骤（2）得到的混合干粉干压成型，烧制，即可得到所需的陶瓷材料样品。
3.根据权利要求1所述低介电损耗Al2O3陶瓷材料及其制造方法，其特征在于：步骤（1）、（2）中，主料与烧结助剂的配比为100：（0.1~0.5）（重量百分比），所述球磨时间为12~24h，球磨介质为氧化锆磨球和去离子水，料：水：球=1：2：3，干燥温度为100-120℃。
4.根据权利要求1所述低介电损耗Al2O3陶瓷材料及其制造方法，其特征在于：步骤（3）中，所述的干压压强为50-150MPa，样品烧结温度为1550~1650℃，升温速度为2~5℃/min，保温时间为2~5h。
5.根据权利要求1、2、3、4所述低介电损耗Al2O3陶瓷材料及其制造方法，其特征在于：将烧制好的样品放置若干小时后，进行性能测试，结果显示：这种低温烧结的氧化铝陶瓷材料介电性能良好，其介电常数为9.81-9.87，Q × f值可达176000-226000GHz。
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