[发明专利]一种基于单原子层沉积的金属生长方法

权利要求书

1.一种基于单原子层沉积的金属生长方法，其特征在于，包括：

步骤一：提供单原子层沉积设备；

步骤二：对所述单原子层沉积设备中的单原子层沉积反应腔进行除湿除氧处理；

步骤三：在所述反应腔中通入第一前驱体反应物，用于在基片表面进行反应；

步骤四：从所述反应腔中排出过剩所述第一前驱体反应物及反应副产物；

步骤五：在所述反应腔中通入第二前驱体反应物，用于与所述基片上的所述第一前驱体反应物进行反应；

步骤六：从所述反应腔中排出过剩所述第二前驱体反应物及反应副产物。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤二中的除湿除氧处理包括在所述反应腔中重复多次进行抽真空再放入惰性气体的步骤。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述惰性气体包括Ar或N₂。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述抽真空的压力范围为0.5Torr-3Torr，所述放入惰性气体后腔体的到达压力范围为10Torr-700Torr。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤二的温度范围为100℃-450℃。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤二中的除湿除氧处理包括在所述反应腔中预淀积金属薄膜。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述预淀积金属薄膜与目标生长金属的位置和种类相同。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述预淀积金属薄膜的材料为钛合金、钽合金或钨。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述预淀积金属薄膜的厚度范围为5nm-100nm。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤二中的除湿除氧处理包括使用高真空载片腔进行抽真空处理。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述使用高真空载片腔进行抽真空处理依次包括在所述高真空载片腔内装载基片、将所述高真空载片腔抽至本底真空、将所述基片传送到所述反应腔的步骤。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述将基片传送到所述反应腔的步骤可以通过机械手、传动带或轮轴装置进行传送。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤二中的除湿除氧处理包括使用高真空反应腔进行抽真空处理。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述使用高真空反应腔进行抽真空处理依次包括将所述反应腔抽至本底真空、再升至所述步骤三至步骤五的压力范围。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述步骤三至步骤五的压力范围为中真空。