[发明专利]一种减少晶片缺陷的设备及方法

权利要求书

1.一种减少晶片缺陷的设备，其特征在于，所述设备至少包括腔体、加热装置以及微波发生器，其中：

所述腔体包括中空的内腔，用于放置待处理晶片、并使所述待处理晶片处于工作面上；

所述腔体外壁上还设置有与所述内腔相连通的进气口和出气口；

所述加热装置沿所述工作面的延展方向均匀布设在所述腔体的外周；

所述腔体的侧壁上、高于所述工作面的位置上设置有与所述内腔相连通的至少一微波口，所述微波发生器通过所述微波口与所述内腔相连通。

2.根据权利要求1所述的减少晶片缺陷的设备，其特征在于，所述腔体上均匀设置有多个微波口，且所述多个微波口与多个微波发生器一一对应连接。

3.根据权利要求2所述的减少晶片缺陷的设备，其特征在于，所述腔体为方形腔体，所述腔体沿工作面方向的截面为正方形；每个所述方形腔体的边角上设置至少一个微波口，且每个所述边角上微波口的数量相等。

4.根据权利要求1所述的减少晶片缺陷的设备，其特征在于，所述腔体包括石英腔。

5.根据权利要求1所述的减少晶片缺陷的设备，其特征在于，所述加热装置包括红外灯，所述红外灯设置于所述腔体的顶面和底面外侧。

6.根据权利要求5所述的减少晶片缺陷的设备，其特征在于，所述加热装置还包括氙灯，所述氙灯设置于所述腔体的顶面和底面外侧，且所述氙灯分布于相应的红外灯之间；位于所述腔体顶面外侧的氙灯和位于所述腔体底面外侧的氙灯之间存在角度。

7.根据权利要求6所述的减少晶片缺陷的设备，其特征在于，所述角度为90°。

8.根据权利要求1所述的减少晶片缺陷的设备，其特征在于，所述微波发生器包括磁控管腔，所述磁控管腔与所述微波口相连通；所述磁控管腔包括Al腔或不锈钢腔。

9.使用如权利要求1至8任一所述的设备减少晶片缺陷的方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：

提供一待处理晶片，所述待处理晶片至少包括空位中性区和/或氧化诱生层错区；

在氧气氛围中，使用加热装置对待处理晶片进行第一退火，所述第一退火包括在第一温度下持续第一时间；

在惰性气体氛围中，同时使用微波发生器和加热装置对待处理晶片进行第二退火，所述第二退火包括在第二温度下持续第二时间；其中，所述第二温度大于或等于第一温度。

10.根据权利要求9所述的减少晶片缺陷的方法，其特征在于，所述第一温度介于1000℃至1200℃，所述第二温度介于1030℃至1230℃。

11.根据权利要求9所述的减少晶片缺陷的方法，其特征在于，所述第一时间和所述第二时间相等，且所述第一时间和所述第二时间均介于10s至30s。

12.根据权利要求9所述的减少晶片缺陷的方法，其特征在于，所述微波发生器的微波频率介于300MHz至500GHz，功率介于4kW/cm²至10kW/cm²。

13.根据权利要求9所述的减少晶片缺陷的方法，其特征在于，进行第一退火的氧气氛围为纯氧气氛；进行第二退火的惰性气体氛围包括纯氩气气氛，或氩气与氨气的混合气体气氛。