[发明专利]基板处理系统、基板传送装置和传送方法

权利要求书

1.一种基板传送装置，其特征在于，所述基板包括多列呈列排布的晶片，每列晶片包括多片晶片，所述基板传送装置包括：

传送机械臂，所述传送机械臂上设置有基板传送叉，所述基板传送叉包括一条主干和多条相互平行的分叉，所述主干为圆弧状主干，每条所述分叉的一端连接在所述主干上，另一端为自由端；

每条所述分叉上设置有多个凹槽，每相邻两条所述分叉上的多个所述凹槽相对设置；

每条所述分叉上的每相邻两个凹槽与相邻分叉上与之相对的两个凹槽共同形成支撑一片晶片的晶片支撑结构。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述凹槽的侧壁为斜坡。

3.一种基板处理系统，其特征在于，所述基板包括多列呈列排布的晶片，每列晶片包括多片晶片，所述基板处理系统包括：用于装载基板的装载室、用于传送基板的传送室、用于对基板进行工艺反应处理的工艺反应室以及用于拆卸基板的拆卸室；

所述传送室分别与所述装载室、所述工艺反应室和所述拆卸室之间连通且设置有隔离阀；

所述传送室内设置有至少一套如权利要求1或2所述的基板传送装置；

所述装载室和所述拆卸室内均分别设置有用于承载基板的各个晶片的晶片承载柱；

所述工艺反应室内设置有用于承载基板的基座；在所述基座上设置有多个提升销，所述多个提升销与待承载的基板上的各个晶片相对应，且提升销的表面小于晶片表面，每个所述提升销能够将放置在其上的晶片从所述基座上提起。

4.根据权利要求3所述的基板处理系统，其特征在于，设置于所述工艺反应室内的基座上的提升销能够上下移动，从而带动放置在其上的晶片的上下移动。

5.根据权利要求3所述的基板处理系统，其特征在于，所述工艺反应室内还设置有基板传送叉定位部件，所述基板传送叉定位部件用于对各个分叉的自由端进行定位，以使基板上的各个晶片和各自对应的提升销均上下对准。

6.根据权利要求3所述的基板处理系统，其特征在于，所述装载室和所述拆卸室上下层叠放置。

7.根据权利要求3所述的基板处理系统，其特征在于，设置于所述装载室内的晶片承载柱能够对其承载的基板进行加热，和/或，设置于所述工艺反应室内的基座能够对其承载的基板进行加热。

8.根据权利要求3所述的基板处理系统，其特征在于，设置于所述拆卸室内的晶片承载柱能够对其承载的基板进行冷却。

9.根据权利要求3所述的基板处理系统，其特征在于，所述传送室内设置有两套如权利要求1或2所述的基板传送装置，其中一套所述基板传送装置用于将基板传送至所述工艺反应室内，另一套所述基板传送装置用于将基板从所述工艺反应室内取走。

10.根据权利要求3-8任一项所述的基板处理系统，其特征在于，所述系统还包括设置在所述装载室前端的基板装载装置，所述基板装载装置与所述基板传送装置的结构相同。

11.根据权利要求3-8任一项所述的基板处理系统，其特征在于，所述系统还包括设置在所述拆卸室后端的基板拆卸装置，所述基板拆卸装置的结构与所述基板传送装置的结构相同。

12.根据权利要求3-8任一项所述的基板处理系统，其特征在于，所述工艺反应室的内部形状为圆形。

13.一种基板传送方法，其特征在于，所述方法应用于权利要求3-11任一项所述的基板处理系统中，所述方法基于权利要求1或2所述的基板传送装置，所述方法包括：

在初始室内，基板传送叉的分叉上的凹槽支撑晶片的下表面的边缘区域；

传送机械臂将支撑有晶片的基板传送叉传送至目标室；

传送机械臂将基板传送叉上的各个晶片降低放置到目标室内的各自对应的晶片承载结构上，然后将基板传送叉从晶片的下表面移出。

14.根据权利要求13所述的基板传送方法，其特征在于，所述目标室内设置有基板传送叉定位部件，

所述传送机械臂将基板传送叉上的各个晶片降低放置到目标室内的各自对应的晶片承载结构上之前，还包括：

目标室内的基板传送叉定位部件对基板传送叉上的各个分叉的自由端进行定位，以使每一晶片与其各自对应的晶片承载结构上下对准。