[发明专利]雷射辅助接合系统及制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种制造一半导体装置的方法，该方法包括：

将一半导体晶粒设置在一基板上；

将雷射辐射透射穿过至少一射束过滤器，其中从至少该射束过滤器输出的雷射辐射同时：

利用在一第一强度位准的一第一平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒的一第一区域；以及

利用在一不同于该第一强度位准的第二强度位准的一第二平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒的一第二区域。

2.如权利要求1所述的方法，其包括：

从多个可选的射束过滤器选择该射束过滤器；以及

产生一信号以自动地将该所选的射束过滤器设置在一雷射与该半导体晶粒之间。

3.如权利要求1所述的方法，其中该射束过滤器包括：

一基底材料；以及

一过滤图案，其被涂覆在该基底材料的一表面上。

4.如权利要求1所述的方法，其中该射束过滤器包括：

一第一过滤图案区域，其特征在于一第一透射率位准，并且控制该半导体晶粒的该第一区域的照射；以及

一第二过滤图案区域，其特征在于一不同于该第一透射率位准的第二透射率位准，并且控制该半导体晶粒的该第二区域的照射。

5.如权利要求1所述的方法，其中：

该半导体晶粒的该第一区域具有一第一布线密度；

该半导体晶粒的该第二区域具有一小于该第一布线密度的第二布线密度；以及

该第一强度位准大于该第二强度位准。

6.如权利要求1所述的方法，其中：

该半导体晶粒的该第一区域对应于一第一热路径密度；

该半导体晶粒的该第二区域对应于一小于该第一热路径密度的第二热路径密度；以及

该第一强度位准大于该第二强度位准。

7.如权利要求1所述的方法，其中：

该半导体晶粒的该第一区域包括该半导体晶粒的一中央区域；以及

该半导体晶粒的该第二区域包括该半导体晶粒的一外围区域。

8.如权利要求1所述的方法，其包括在该透射之前，在该半导体晶粒上形成一雷射射束吸收层。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述透射雷射辐射包括在该透射期间改变该雷射辐射的一光点大小。

10.一种制造一半导体装置的方法，该方法包括：

将一半导体晶粒设置在一基板上；以及

利用一雷射射束来照射该半导体晶粒，以回焊在该半导体晶粒与该基板之间的互连结构，

其中该照射包括在该照射期间改变该雷射射束的一光点大小。

11.如权利要求10所述的方法，其中利用一雷射射束来照射该半导体晶粒包括利用一平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述改变一光点大小包括在一覆盖小于该整个半导体晶粒的第一光点大小与一覆盖该整个半导体晶粒的第二光点大小之间改变该光点大小。

13.如权利要求10所述的方法，其中所述改变一光点大小包括在一第一时间期间，以一受控制的增加速率来增加该光点大小。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述照射包括在一第二时间期间维持该光点大小在一固定的尺寸。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述改变一光点大小包括在一第三时间期间，以一受控制的减小速率来减小该光点大小。

16.如权利要求10所述的方法，其包括在该半导体晶粒上形成一雷射射束吸收层。

17.一种制造一半导体装置的方法，该方法包括：

将一半导体晶粒设置在一基板上，使得多个互连结构是介于该半导体晶粒与该基板之间；以及

在该半导体晶粒上形成一雷射吸收层，

其中该雷射吸收层被配置以在被雷射照射时，强化该些互连结构的回焊。

18.如权利要求17所述的方法，其中该形成一雷射吸收层在所述设置该半导体晶粒之前被执行。