[发明专利]一种基于ANSYS计算微电子器件增加水分含量的方法在审
申请号: | 201710194041.2 | 申请日: | 2017-03-28 |
公开(公告)号: | CN106991226A | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 马孝松;刘志学;丁秋林 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 南宁东智知识产权代理事务所(特殊普通合伙)45117 | 代理人: | 巢雄辉,汪治兴 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 ansys 计算 微电子 器件 增加 水分 含量 方法 | ||
1.一种基于ANSYS计算微电子器件增加水分含量的方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)采用ANSYS软件构建微电子器件的实体模型;
(2)对微电子器件的实体模型进行有限元网络划分,将微电子器件的实体模型分为n个单元;
(3)将ANSYS软件中的热传导分析的参数对应设置成潮湿扩散分析的参数;所述热传导分析的参数包括物体吸收的能量q、温度T、密度ρ、比热容c、热传导率K;所述潮湿扩散分析的参数包括微电子器件吸收水分的重量G、相对湿度w、密度ρc、饱和潮湿度Csat、潮湿扩散度D;其中温度T对应相对湿度w;比热容c对应饱和潮湿度Csat,热传导率K对应潮湿扩散度D与饱和潮湿度Csat的乘积;所述潮湿扩散分析中密度ρc=1;
(4)利用ANSYS软件对微电子器件进行加载外界环境的温度T,即可得相对湿度w;
(5)利用ANSYS软件计算微电子器件的实体模型每个单元的体积Vi(i=1,2,···,n);
(6)根据公式q=c*m*△t和m=ρ*V可得G=Csat*ρc*V*w;根据潮湿扩散分析中密度ρc=1可得每个单元吸收水分的重量Gi=Csat*V*w,(i=1,2,···,n)式中Csat为常数,材料不同Csat的值也不同;
(7)对n个单元采用加法求取微电子器件吸收水分的重量G,(i=1,2,···,n)。
2.根据权利要求1所述的一种基于ANSYS计算微电子器件增加水分含量的方法,其特征在于:所述步骤(7)是在matlab上采用程序实现。
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