[发明专利]垂直沟道有机薄膜晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种垂直沟道有机薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板(1)，在所述基板(1)上形成环形的源极(2)；

步骤2、在所述源极(2)以及所述源极(2)的内圆内部的部分基板(1)上形成环形的有机半导体层(3)；

步骤3、在所述基板(1)、源极(2)和有机半导体层(3)上沉积绝缘层(4)，对所述绝缘层(4)进行图案化工艺形成贯穿所述有机半导体层(3)上的绝缘层(4)的环形的过孔(41)；

步骤4、在所述环形的过孔(41)中形成环形的漏极(5)，所述漏极(5)与所述有机半导体层(3)接触；

步骤5、在所述有机半导体层(3)的内圆内部的绝缘层(4)上形成栅极(6)。

2.如权利要求1所述的垂直沟道有机薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤2中采用溶液法制作所述有机半导体层(3)，具体过程包括：在所述基板(1)和源极(2)上涂布或者旋涂有机半导体材料溶液，烘烤固化后得到一有机半导体材料薄膜，再对所述有机半导体材料薄膜进行图案化后得到有机半导体层(3)。

3.如权利要求2所述的垂直沟道有机薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤2中通过对所述有机半导体材料薄膜依次进行曝光、显影、以及蚀刻制程完成所述有机半导体材料薄膜的图案化。

4.如权利要求1所述的垂直沟道有机薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述有机半导体层(3)的材料为小分子型有机半导体材料或聚合物型有机半导体材料。

5.如权利要求1所述的垂直沟道有机薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤1具体为：在所述基板(1)上沉积第一金属薄膜，接着图案化所述第一金属薄膜得到环形的源极(2)；

所述步骤4具体为：在所述绝缘层(4)上沉积第二金属薄膜，接着图案化所述第二金属薄膜得到环形的漏极(5)；

所述步骤5具体为：在所述绝缘层(4)上沉积第三金属薄膜，接着图案化所述第三金属薄膜得到栅极(6)。